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深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為
本文探討了影響高速SiC MOSFET開關(guān)特性的關(guān)鍵因素，包括器件特性、工作條件和外部電路；解釋了開關(guān)損耗的主要影響因素，并確定了影響器件行為和使用的重要因素，這些因素可以顯著提升SiC MOSFET在功率電路中的開關(guān)性能。
2022-09-13
SiC MOSFET 開關(guān)
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巧用LC濾波器額，改善高速DAC電源相位噪聲！
對(duì)于高速DAC供電電源的選擇，LDO是久經(jīng)考驗(yàn)的穩(wěn)壓器，尤其適合用來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)質(zhì)噪聲性能。相關(guān)技術(shù)資訊，可參閱文章：選擇超低噪聲的LDO來(lái)改善相位噪聲 。
2022-09-13
LC濾波器 DAC 相位噪聲
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常見的觸摸開關(guān)，你了解多少？
觸摸開關(guān)是一種公認(rèn)的電氣開關(guān)，與同類機(jī)械開關(guān)一樣通過(guò)手動(dòng)操作接通或斷開電路。這種開關(guān)最初在20世紀(jì)80年代初是用作鍵盤和鍵盤的薄膜或絲網(wǎng)印刷開關(guān)的，由于其性能不盡如人意且缺乏觸覺(jué)反饋，在推廣之處遇到了阻力。然而，在20世紀(jì)80年代末，在設(shè)計(jì)中納入金屬拱頂?shù)陌姹精@得了更廣泛的普及，這要...
2022-09-13
觸摸開關(guān) DigiKey
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如何為無(wú)線狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)選擇最佳MEMS傳感器（上篇）
如今MEMS加速度計(jì)性能快速提升，擁有更低功耗、更小尺寸、更高集成度、更寬帶寬以及低于100μg/√Hz的噪聲水平等，并可基于無(wú)線解決方案代替有線系統(tǒng)，以小巧輕便的三軸模擬器件取代單軸笨重的壓電傳感器，讓經(jīng)濟(jì)高效地連續(xù)監(jiān)控暴增的機(jī)器設(shè)備成為可能。對(duì)于維護(hù)和設(shè)施工程師而言，這意味著可通過(guò)全新...
2022-09-13
無(wú)線狀態(tài)監(jiān)控 MEMS傳感器
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藍(lán)牙模塊對(duì)于電路的影響
本文討論了在實(shí)際中電子信號(hào)處理電路中可能會(huì)受到高頻電磁波干擾的情況。這些情況在普通的課堂中和教科書中往往都會(huì)被省略掉。電路中所增加的那些看似對(duì)于普通信號(hào)處理無(wú)關(guān)的外圍電阻、電容，卻在保證電路穩(wěn)定工作起到關(guān)鍵的作用。因此，遇到問(wèn)題雖然造成麻煩，但通過(guò)觀察、分析和解決，會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)...
2022-09-09
藍(lán)牙模塊 EMIRR 原理
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低功耗廣域網(wǎng)絡(luò)模塊滿足物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用需求
有許多物聯(lián)網(wǎng)（IoT）應(yīng)用因?yàn)榉秶^廣、距離較遠(yuǎn)，必須借助低功耗廣域網(wǎng)絡(luò)（LPWAN）技術(shù)，來(lái)提供更低的設(shè)備復(fù)雜性和擴(kuò)展覆蓋范圍，同時(shí)允許重復(fù)使用現(xiàn)有的LTE基站，來(lái)降低系統(tǒng)建置的成本。本文將為您介紹Murata的低功耗廣域網(wǎng)絡(luò)模塊產(chǎn)品特性與應(yīng)用領(lǐng)域，供您進(jìn)一步了解與采用。
2022-09-09
模塊 物聯(lián)網(wǎng)
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一文詳解數(shù)字晶體管的原理
數(shù)字晶體管（Digital Transistor），英文名為Bias Resistor Transistor，是帶電阻的晶體管，有的僅在基極上串聯(lián)一只電阻，一般稱為R1，有的在基極與發(fā)射極之間還并聯(lián)一只電阻R2。電阻R1有多種電阻，類似標(biāo)準(zhǔn)電阻系列配制，電阻R2情況類似R1。電阻R1與電阻R2可按多種方式搭配，因此數(shù)字晶體管的品種...
2022-09-09
數(shù)字晶體管 原理
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