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穩(wěn)壓管的4種應(yīng)用電路
穩(wěn)壓二極管(又叫齊納二極管)它的電路符號(hào)是：此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。
2021-11-29
穩(wěn)壓管 應(yīng)用電路
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連接SPI接口器件 - 第二部分
單個(gè)時(shí)鐘域SPI實(shí)現(xiàn)的思路與兩個(gè)時(shí)鐘域非常相似。這里為了便于演示沒(méi)有使用PLL。同時(shí)，也不需要sync_stage模塊。由于是單個(gè)時(shí)鐘，需要clock_generator來(lái)生成dac_sck所需的時(shí)鐘下降沿條件，dac_sck則用作狀態(tài)機(jī)dac_fsm的觸發(fā)條件。
2021-11-29
SPI接口器件
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連接SPI接口器件 - 第一部分
LEC2 Workbench系列技術(shù)博文主要關(guān)注萊迪思產(chǎn)品的應(yīng)用開(kāi)發(fā)問(wèn)題。這些文章由萊迪思教育能力中心（LEC2）的FPGA設(shè)計(jì)專家撰寫(xiě)。LEC2是專門(mén)針對(duì)萊迪思屢獲殊榮的低功耗FPGA和解決方案集合的全球官方培訓(xùn)服務(wù)供應(yīng)商。
2021-11-29
SPI接口器件
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MOSFET性能改進(jìn)：RDS(ON)的決定因素
許多中高壓MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）結(jié)構(gòu)，而小于200V的產(chǎn)品大多具有溝槽MOS（U-MOS）結(jié)構(gòu)。因此，當(dāng)耐受電壓VDSS＝600V時(shí)，Rdrift成為主導(dǎo)因素，當(dāng)耐受電壓是30V時(shí)，因素Rch的比例較高。
2021-11-29
MOSFET RDS
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移動(dòng)設(shè)備的 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略：您的 SEED 工具
我們?cè)诘?1 部分介紹了 ESD 的基本概念以及系統(tǒng)高效 ESD 設(shè)計(jì) (SEED)。本博客將為您介紹 SEED 工具箱中所有必要的部分。第 3 部分將介紹如何將 SEED 方法及建模和模擬一起用于優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)手機(jī)設(shè)計(jì)。
2021-11-29
移動(dòng)設(shè)備 ESD 設(shè)計(jì)戰(zhàn)略
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做好準(zhǔn)備：關(guān)于 ESD 和 RF 設(shè)備您需要了解什么
靜電放電 (ESD) 現(xiàn)象從一開(kāi)始就存在。我們第一次接觸 ESD 往往是在孩童時(shí)代，在干燥的冬日觸碰金屬門(mén)把手時(shí)，會(huì)有種觸電的感覺(jué)——這就是靜電放電。這種短暫的不適感通常對(duì)人類來(lái)說(shuō)不是問(wèn)題，但是即使是少量的 ESD 也有可能會(huì)損毀敏感電路。
2021-11-29
ESD RF設(shè)備
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重負(fù)載時(shí)中開(kāi)關(guān)元件工作相關(guān)的注意事項(xiàng)
在重負(fù)載時(shí)，如果MOSFET的體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，且有電流殘留，則在超前臂的MOSFET關(guān)斷時(shí)，寄生雙極晶體管可能會(huì)誤導(dǎo)通，從而損壞MOSFET。這種問(wèn)題發(fā)生在由關(guān)斷時(shí)產(chǎn)生的對(duì)漏源電容CDS的充電電流而使寄生雙極晶體管自發(fā)地導(dǎo)通（誤導(dǎo)通）、瞬間流過(guò)大電流時(shí)。
2021-11-29
重負(fù)載 開(kāi)關(guān)元件 注意事項(xiàng)
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