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零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器的分析
德州儀器（TI）推出了新的零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器系列。TMCS1100和TMCS1101傳感器可在一段時間內(nèi)以及在工作溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)最小漂移和最大精度，同時通過8引腳SOIC封裝提供可靠的3 kVrms隔離，這對于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動器，太陽能逆變器等高壓AC或DC系統(tǒng)尤其重要。這些新設(shè)備的準(zhǔn)確性消除了對設(shè)備進(jìn)行校...
2021-10-09
零漂移霍爾效應(yīng)電流傳感器
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改進(jìn)寬帶多通道系統(tǒng)，集成強(qiáng)化型DSP幫您搞掂~
過去幾十年來，無線系統(tǒng)通道數(shù)和帶寬一直穩(wěn)步增長。對數(shù)據(jù)速率和系統(tǒng)整體性能的要求成為這些現(xiàn)代電信、雷達(dá)和儀器儀表系統(tǒng)發(fā)展的驅(qū)動因素。但與此同時，這些要求也加大了電源封裝和系統(tǒng)的復(fù)雜度，使功率密度和組件級別的功能變得更為重要。
2021-10-09
運(yùn)算放大器 轉(zhuǎn)換速率SR
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安森美電機(jī)開發(fā)套件獲中國2021年Top 10電源產(chǎn)品獎
2021年9月15日 —安森美(onsemi，納斯達(dá)克股票代號：ON)宣布其電機(jī)開發(fā)套件(MDK)獲《21IC中國電子網(wǎng)》選為2021年Top 10電源產(chǎn)品獎。這一年度獎項(xiàng)計劃是備受行業(yè)認(rèn)同的確定中國10個最具技術(shù)進(jìn)步的創(chuàng)新電源產(chǎn)品的一個基準(zhǔn)。
2021-09-15
安森美 電機(jī)開發(fā)套件 電源產(chǎn)品獎
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為何完全集成式轉(zhuǎn)換環(huán)路器件可實(shí)現(xiàn)出色的相位噪聲性能？
目前對帶寬的需求呈爆炸式增長，從而將載波頻率推高至幾十千兆赫。在這些高頻率下，客戶可使用更高的帶寬，不必?fù)?dān)心頻譜過度擁擠。但是，隨著頻率增加，針對這些器件和頻率的儀器儀表解決方案就會變得極其復(fù)雜。這是因?yàn)閮x器儀表解決方案需要提升一個數(shù)量級的性能，以避免損壞測試中的器件。
2021-09-15
集成式轉(zhuǎn)換環(huán)路器件 相位噪聲
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貿(mào)澤電子聯(lián)手STMicroelectronics推出全新內(nèi)容網(wǎng)站聚焦無線解決方案
貿(mào)澤電子與全球知名半導(dǎo)體解決方案制造商STMicroelectronics (ST) 聯(lián)手推出全新內(nèi)容網(wǎng)站，致力于為無線領(lǐng)域的工程師提供來自ST的新資源、新產(chǎn)品和技術(shù)新知。
2021-09-15
貿(mào)澤電子 STMicroelectronics 無線
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什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？
自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應(yīng)用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開關(guān)...
2021-09-15
硅片 寬帶隙技術(shù)
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雙向功率轉(zhuǎn)換器受益于 CoolSiCTM MOSFET
雙向功率轉(zhuǎn)換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關(guān)鍵部件。碳化硅開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)先前技術(shù)無法達(dá)到的效率水平。
2021-09-15
雙向功率轉(zhuǎn)換器 MOSFET
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