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大功率晶閘管參數(shù)解析之開關(guān)特性
功率二極管晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器、UPS、交流靜態(tài)開關(guān)、SVC和電解氫等場合，但大多數(shù)工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態(tài)特性，控制特性，保護以及損耗與熱特性。內(nèi)容摘自英飛凌英文版應(yīng)用指南AN2012-01《雙極性半導(dǎo)體技術(shù)信息》。
2021-09-08
晶閘管 參數(shù)解析 開關(guān)特性
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
仿真 SiC單管 開關(guān)特性
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伺服電機驅(qū)動接口、電源保護方案
伺服是按控制命令的要求，對功率進行放大、變換以及調(diào)控等處理，使驅(qū)動裝置輸出的力矩、速度和位置能被控制得非常靈活、方便。
2021-09-08
伺服電機 接口 電源保護
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射頻氮化鎵：趨勢和方向
在過去的 10 年中，氮化鎵已經(jīng)成為一種越來越重要的射頻應(yīng)用技術(shù)。氮化鎵的材料特性使其器件在功率密度、外形尺寸、擊穿電壓、熱導(dǎo)率、工作頻率、帶寬和效率方面具有優(yōu)勢。設(shè)計師們已經(jīng)開發(fā)出器件解決方案，與競爭性的半導(dǎo)體技術(shù)相比，具有非常吸引人的性能特點。
2021-09-08
射頻 氮化鎵 趨勢
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反激同步整流對EMI的影響
過去十年間，移動設(shè)備的快速發(fā)展讓手機應(yīng)用滲透到社會的方方面面。日常生活中，人們幾乎手機不離身。因此，大電池容量及快速充電速度成為手機最關(guān)鍵的殺手锏之一，這也對適配器提出了更高額定功率和更高功率密度的需求，且需求正呈指數(shù)級增長。
2021-09-08
反激同步整流 EMI
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面向48V數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的高度集成、可擴展、均流熱插拔解決方案
從幾百瓦到幾千瓦，數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器和機架功率大幅提高。但高功率水平在多個服務(wù)器上分配會不可避免地產(chǎn)生較大的功率損耗，從而損害效率。將傳統(tǒng)的12V配電電壓轉(zhuǎn)換為48V可以緩解這個問題。
2021-09-08
數(shù)據(jù)中心 熱插拔 解決方案
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100%國產(chǎn)化低相位噪聲頻率綜合器研制成功
頻率綜合器是現(xiàn)代電子系統(tǒng)的重要組成部分，在通訊、雷達、電子對抗、遙控遙測和儀器儀表等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。尤其是在衛(wèi)星導(dǎo)航通信、5G6G、量子通訊、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中，頻率綜合器一直都是射頻系統(tǒng)的核心部件。隨著電子信息技術(shù)的發(fā)展，電子系統(tǒng)的高性能和小型化已經(jīng)成為了一個必然的發(fā)展趨勢...
2021-09-08
國產(chǎn)化 低相位噪聲 頻率綜合器
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