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你知道LDO與DC-DC器件的區(qū)別嗎?
應(yīng)當(dāng)可以這樣理解:DCDC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉(zhuǎn)換),只要符合這個(gè)定義都可以叫DCDC轉(zhuǎn)換器,包括LDO。但是一般的說(shuō)法是把直流變(到)直流由開(kāi)關(guān)方式實(shí)現(xiàn)的器件叫DCDC。
2024-02-05
LDO DC-DC器件
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相對(duì)于傳統(tǒng)方案,電感DCR電流檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)是......
4開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器能夠產(chǎn)生高于、低于或等于輸入電壓的調(diào)節(jié)輸出電壓,因此深受歡迎且廣為人知。在極端故障情況下,例如輸入短路或輸出短路情況下,它還能斷開(kāi)輸入/輸出(I/O)連接。與過(guò)流和過(guò)壓保護(hù)一起,4開(kāi)關(guān)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器廣泛用于電池供電設(shè)備、汽車(chē)系統(tǒng)和通用工業(yè)應(yīng)用。
2024-02-04
電感 DCR電流檢測(cè)
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如何用內(nèi)部邏輯分析儀調(diào)試FPGA?
進(jìn)行硬件設(shè)計(jì)的功能調(diào)試時(shí),F(xiàn)PGA的再編程能力是關(guān)鍵的優(yōu)點(diǎn)。CPLD和FPGA早期使用時(shí),如果發(fā)現(xiàn)設(shè)計(jì)不能正常工作,工程師就使用“調(diào)試鉤”的方法。先將要觀察的FPGA內(nèi)部信號(hào)引到引腳,然后用外部的邏輯分析儀捕獲數(shù)據(jù)。然而當(dāng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度增加時(shí),這個(gè)方法就不再適合了,其中有幾個(gè)原因。第一是由于FPG...
2024-02-04
邏輯分析儀 FPGA
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示波器12bit“芯”趨勢(shì),如何實(shí)現(xiàn)更高測(cè)量精度?
提高垂直分辨率一直是示波器設(shè)計(jì)者的目標(biāo),因?yàn)楣こ處熜枰獪y(cè)量更精細(xì)的信號(hào)細(xì)節(jié)。但是,想獲得更高垂直分辨率并不只理論上增加示波器模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)的位數(shù)就能實(shí)現(xiàn)的。泰克4、5和6系列示波器采用全新的12位ADC和兩種新型低噪聲放大器,不僅在理論上提高分辨率,在實(shí)用中垂直分辨率性能也大大提升...
2024-02-02
示波器 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
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鎖相環(huán)路構(gòu)成與工作機(jī)制
通過(guò)環(huán)路濾波器轉(zhuǎn)化為壓控電壓加到壓控振蕩器上,使壓控振蕩器的輸出頻率Vout逐步同步于輸入信號(hào)Vin,直到兩個(gè)信號(hào)的頻率逐漸同步,相位差也在測(cè)量誤差范圍內(nèi),那么整個(gè)系統(tǒng)就穩(wěn)定下來(lái)了。
2024-02-01
鎖相環(huán)路 環(huán)路濾波器
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旁路電容和耦合電容:以正確的方式穩(wěn)定電壓
電子產(chǎn)品開(kāi)發(fā)期間經(jīng)常需要用到旁路電容。圖1所示為一個(gè)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器,可以從高電壓產(chǎn)生低電壓。在這種類(lèi)型的電路中,旁路電容(CBYP)尤為重要。它必須支持輸入路徑上的開(kāi)關(guān)電流,使得電源電壓足夠穩(wěn)定,能夠支持設(shè)備運(yùn)行。
2024-02-01
旁路電容 耦合電容 電壓
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模電的半壁江山——運(yùn)算放大器的原理和應(yīng)用
大家學(xué)習(xí)電子都會(huì)接觸運(yùn)算放大器,常常聽(tīng)到虛短虛斷一說(shuō)。虛短虛斷是解開(kāi)負(fù)反饋運(yùn)放電路的核心方法,具體就要從運(yùn)放的原理開(kāi)始說(shuō)起了。
2024-01-31
模電 運(yùn)算放大器
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有助于強(qiáng)化電網(wǎng)的電池管理技術(shù)
隨著電動(dòng)汽車(chē) (EV) 的日益普及以及向更多可再生能源的過(guò)渡,我們一個(gè)多世紀(jì)以來(lái)對(duì)化石燃料的依賴正在降低。越來(lái)越多的電力公司轉(zhuǎn)而使用太陽(yáng)能電池板和風(fēng)力渦輪機(jī)(而不是天然氣渦輪機(jī))發(fā)電,從而為電動(dòng)汽車(chē)充電,并為我們的家庭和企業(yè)供電。這些趨勢(shì)使我們距離可持續(xù)能源的未來(lái)又近了一步。
2024-01-30
電網(wǎng) 電池管理
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門(mén)極驅(qū)動(dòng)正壓對(duì)功率半導(dǎo)體性能的影響
無(wú)論是MOSFET還是IGBT,都是受門(mén)極控制的器件。在相同電流的條件下,一般門(mén)極電壓用得越高,導(dǎo)通損耗越小。因?yàn)殚T(mén)極電壓越高意味著溝道反型層強(qiáng)度越強(qiáng),由門(mén)極電壓而產(chǎn)生的溝道阻抗越小,流過(guò)相同電流的壓降就越低。不過(guò)器件導(dǎo)通損耗除了受這個(gè)門(mén)極溝道影響外,還和芯片的厚度有很大的關(guān)系,一般越...
2024-01-29
門(mén)極驅(qū)動(dòng) 功率半導(dǎo)體
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