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繼電器的振動，可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時被破壞
請注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動感性負(fù)載時，不要將機(jī)械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時，由于繼電器的啟動時間短，產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt)，這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。
2018-03-16
繼電器 MOSFET 開關(guān)
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一文讀懂，晶振為什么會發(fā)生停振？
在遇到事情是要以一分為二，對于晶振也不例外，應(yīng)從內(nèi)外因不同的角度來分析晶振停振。下面我們以內(nèi)外因來分析晶振停振。
2018-03-15
晶振 停振
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解析高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型
本文介紹了高壓IGBT模塊在濕度影響下的壽命預(yù)估模型。此模型涉及的濕度加速因子是從溫濕偏置試驗中提取的；高壓IGBT的溫濕偏置試驗在不同的濕度和不同的電壓下進(jìn)行測試，目的是為了找出濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響。最終，我們把濕度和電壓對高壓IGBT壽命的影響以及溫度因數(shù)都集成到壽命預(yù)估模...
2018-03-14
電容 電解電容
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三極管：如何區(qū)分其飽和和深度飽和狀態(tài)呢？
三極管飽和問題總結(jié)：1.在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。2.集電極電阻 越大越容易飽和；3.飽和區(qū)的現(xiàn)象就是：二個PN結(jié)均正偏，IC不受IB之...
2018-03-05
三極管 飽和狀態(tài) 深度飽和
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如何利用廢舊變壓器？換繞組!
笨重的變壓器，大個電容。這種老舊電源也可用作兩個DC-DC PSU模塊的前端。讓我們看一個老變壓器背后的新故事。還記得很久以前的線性供電電源嗎？笨重的變壓器，大個電容。作為構(gòu)建EDN CDEL的一部分，我決定使用這種老舊的電源作為兩個DC-DC PSU模塊的前端。我來跟你分享一下這個老變壓器背后的新故事。
2018-03-03
變壓器 換繞組
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如何克服功率計等測量儀器測試的不穩(wěn)定？
警匪片里經(jīng)?？吹竭@樣的場景，在手槍前裝一個消音器，就能把聲音降低，使其他人聽不到動靜。其實測試設(shè)備里也有類似消音器的功能，只不過消除的不是聲音，而是信號噪聲或信號波動。
2018-03-01
測試測量 功率計
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淺談通訊接口技術(shù)
現(xiàn)在大家是否有一種很奇怪的感覺，越來越多的設(shè)備采用串口通訊了，并且還說串口就這么簡單的幾根線比十幾根線的并口速度還快，這個無論如何都覺得有些莫名其妙。若你是這種感覺的，建議繼續(xù)看下去，若覺得很正常的，請繞道。
2018-02-26
接口 通信 總線
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集成分流器的EconoDUAL 3 IGBT模塊有助于降低系統(tǒng)成本
英飛凌科技股份公司將EconoDUAL? 3模塊集成度提升到一個全新水平：通過集成分流電阻，在交流路徑上進(jìn)行電流監(jiān)測。這些器件的應(yīng)用有助于逆變器制造商降低成本、提高性能并簡化設(shè)計。集成分流器的EconoDUAL 3模塊可廣泛用于多種應(yīng)用領(lǐng)域，如通用變頻器、不間斷電源和太陽能逆變器等。另外，也非常適合...
2018-02-24
英飛凌 EconoDUAL? 3模塊 集成分流器
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解析單片機(jī)中斷處理過程、中斷返回、中斷撤除
中斷響應(yīng)是CPU對中斷源中斷請求的響應(yīng)，包括保護(hù)斷點和將程序轉(zhuǎn)向中斷服務(wù)程序的入口地址(通常稱矢量地址)。
2018-02-24
單片機(jī) CPU 中斷
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