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雙極結(jié)型晶體管差分放大器的溫度補(bǔ)償
人們普遍認(rèn)為，使用雙極結(jié)型晶體管（BJT）電流源可以對雙極結(jié)型晶體管差分放大器進(jìn)行溫度補(bǔ)償，但事實(shí)并非如此。對I0進(jìn)行溫度補(bǔ)償?shù)玫匠?shù)re，會導(dǎo)致電流源外部發(fā)射極電阻R0上的電壓低，從而無法精確設(shè)置I0。本設(shè)計實(shí)例分析了BJT差分放大器的發(fā)射極電路電流源I0，及其不同實(shí)現(xiàn)方式對放大器增益的影響。
2018-02-24
晶體管 放大器 溫度補(bǔ)償
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檢測高階電流的各種技巧
絕大多數(shù)直流電流檢測電路的核心設(shè)計思路，是從供電線路中的電阻下手。人們只需簡單地測量電阻兩端的電壓降，并根據(jù)需要調(diào)節(jié)阻值來讀取電流。如果檢測電阻在接地支路上，那么方案就是個簡單的運(yùn)算放大電路…
2018-02-23
傳感/MEMS 放大/調(diào)整/轉(zhuǎn)換 技術(shù)實(shí)例
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如何對高頻變壓器內(nèi)部進(jìn)行emi布線？
很多工程師都知道開關(guān)電源變壓器在繞線時在原邊繞組和副邊繞組之間加一個繞組并接地可以起到屏蔽作用，但到底是怎么樣一個機(jī)理？有些工程師并沒有很好的理解。
2018-02-22
高頻變壓器 emi 布線
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橫跨隔離柵的電涌：數(shù)字隔離器為加強(qiáng)絕緣確立標(biāo)準(zhǔn)
傳統(tǒng)上，光耦合器用于隔離多種電氣設(shè)備中潛在的危險電壓。如今，基于變壓器或容性耦合技術(shù)的現(xiàn)代數(shù)字隔離器得到了廣泛應(yīng)用。基于變壓器的數(shù)字隔離器擁有諸多優(yōu)勢，比如高性能、集成功能、低功耗、出色的長期可靠性以及更高的易用性等。
2018-02-11
隔離柵 電涌 數(shù)字隔離器 ADI
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淺談晶振負(fù)載電容的計算方法以及需要注意的地方
圖中CI,C2這兩個電容就叫晶振的負(fù)載電容,分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容，一般在幾十皮法它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度，一般訂購晶振時候供貨方會問你負(fù)載電容是多少。
2018-02-09
晶振 負(fù)載電容
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詳解ADI的MEMS開關(guān)技術(shù)
在過去的30年間，MEMS開關(guān)被一致認(rèn)為是性能有限的機(jī)電式繼電器的優(yōu)越取代品。 透過易于使用、能夠以損失最小的情況下，可靠的進(jìn)行從0 Hz/dc至數(shù)百GHz路由的小型開關(guān)，因而徹底改變了電子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的方法。
2018-02-08
MEMS ADI 開關(guān)
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大咖詳談FPGA，簡介、工作原理等
如前所述，是在PAL、GAL、EPLD、CPLD等可編程器件的基礎(chǔ)上進(jìn)一步發(fā)展的產(chǎn)物。它是作為ASIC領(lǐng)域中的一種半定制電路而出現(xiàn)的，即解決了定制電路的不足，又克服了原有可編程器件門電路有限的缺點(diǎn)。
2018-02-08
FPGA 結(jié)構(gòu)
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簡述小型化MEMS傳感器技術(shù)
微加工已經(jīng)成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)傳感器的小型化。能夠通過使用標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造技術(shù)，減少傳感元件的尺寸允許顯著減小尺寸。積分信號處理沿著感測元件進(jìn)一步增強(qiáng)了機(jī)會，以減少系統(tǒng)的大小，省去了額外的引腳鏈接到外部設(shè)備。
2018-02-07
MEMS傳感器 傳感器
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示波器的采樣率和存儲深度
帶寬、采樣率和存儲深度是數(shù)字示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)。相對于工程師們對示波器帶寬的熟悉和重視，采樣率和存儲深度往往在示波器的選型、評估和測試中為大家所忽視。這篇文章的目的是通過簡單介紹采樣率和存儲深度的相關(guān)理論結(jié)合常見的應(yīng)用幫助工程師更好的理解采樣率和存儲深度這兩個指針的重要特征...
2018-02-06
示波器 采樣率 存儲深度 帶寬
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