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【AFG專(zhuān)題系列72變】之一：電源倍頻我來(lái)也
電源行業(yè)有多種放大電路，研發(fā)測(cè)試中需要模擬輸出各種信號(hào)以驗(yàn)證電路的完整性?？蛻?hù)是一家電源研發(fā)企業(yè)，需要對(duì)倍頻積分電路進(jìn)行模擬測(cè)試，輸出5V、5kHz的方波信號(hào)激勵(lì)電路，產(chǎn)生20kHz的三角波信號(hào)，驗(yàn)證電路的穩(wěn)定性。
2022-02-24
電源倍頻
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Würth Elektronik攜手貿(mào)澤電子推出全新電子書(shū)，助你簡(jiǎn)化電磁兼容性設(shè)計(jì)
專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子宣布與Würth Elektronik合作推出全新電子書(shū)，探索新的電子設(shè)計(jì)如何將高速數(shù)據(jù)傳輸、連接性、無(wú)線(xiàn)電源、電池管理和近場(chǎng)通信整合到單個(gè)設(shè)備中。
2022-02-23
Würth Elektronik 貿(mào)澤電子 電磁兼容
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如何實(shí)現(xiàn)低BER(誤碼率)、低雜散輸出和低相位噪聲的系統(tǒng)級(jí)目標(biāo)
ADI集成VCO的PLL產(chǎn)品將低相位噪聲、高級(jí)功能及超小尺寸組合在一起，是微波/毫米波無(wú)線(xiàn)電、測(cè)試設(shè)備、微波傳感器、光纖通信以及防務(wù)通信和傳感器等許多小尺寸應(yīng)用的理想之選。
2022-02-22
BER 低雜散輸出 低相位噪聲
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如何在工業(yè)應(yīng)用中選擇和使用浮動(dòng)液位傳感器
基于磁簧開(kāi)關(guān)的液位傳感器為設(shè)計(jì)者提供了可靠和長(zhǎng)壽命的選擇，適用于惡劣和苛刻的應(yīng)用。這些開(kāi)關(guān)有多種配置，可用于測(cè)量?jī)?chǔ)液箱是滿(mǎn)的還是空的，或者當(dāng)液體處于兩者之間的預(yù)定水平時(shí)，有些開(kāi)關(guān)可以測(cè)量多個(gè)液體水平。此外，它們不需要外部電源，可以很容易地滿(mǎn)足 EMC 要求。
2022-02-21
工業(yè)應(yīng)用 浮動(dòng)液位傳感器
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現(xiàn)代電子電路的精確電流測(cè)量：板級(jí)監(jiān)測(cè)的不同測(cè)量方法比較
隨著電力電子開(kāi)關(guān)技術(shù)的不斷進(jìn)步，精確測(cè)量電流以用于反饋控制和系統(tǒng)監(jiān)測(cè)的需求越來(lái)越高。精確測(cè)量電流的方法有多種，每種方法都有其優(yōu)點(diǎn)和局限性。本文重點(diǎn)介紹需要較高精度與帶寬的電流測(cè)量方法，這些方法可用于測(cè)量諸如計(jì)算機(jī)/電信板輸入電流、逆變器相電流和其他承載電流從幾安培到100A的電路電...
2022-02-21
電子電路 電流測(cè)量 板級(jí)監(jiān)測(cè)
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如何從單電源供電回路中獲得正負(fù)電源
由于輸入端與輸出端被短接在一起，故非門(mén)的輸出電壓與輸入電壓相等（Vi＝VO）；這樣，非門(mén)被強(qiáng)制工作在轉(zhuǎn)移特性曲線(xiàn)的中心點(diǎn)處，因此輸出電壓被限定為門(mén)電路的閾值電平，其大小等于電源電壓的一半，如果我們將非門(mén)的輸出端作為直流接地端，就可以把電源電壓 VCC轉(zhuǎn)換為?VCC/2的雙電源電壓；此時(shí)的非...
2022-02-18
單電源供電回路 正負(fù)電源
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移動(dòng)寬帶無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)如何提高頻譜效率
高速和低速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代寬帶移動(dòng)無(wú)線(xiàn)電中發(fā)揮關(guān)鍵功能。本應(yīng)用筆記概述了如何確定基帶采樣無(wú)線(xiàn)電架構(gòu)中的高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器性能要求。此外，在考慮高速模擬前端（AFE）解決方案時(shí)，還概述了系統(tǒng)分區(qū)策略和優(yōu)點(diǎn)。
2022-02-18
動(dòng)寬帶 無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng) 頻譜效率
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單片機(jī)中晶振的工作原理是什么？
晶振在單片機(jī)中是必不可少的元器件，只要用到CPU的地方就必定有晶振的存在，那么晶振是如何工作的呢？
2022-02-18
單片機(jī) 晶振
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對(duì)稱(chēng)的布板設(shè)計(jì)來(lái)實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測(cè)量結(jié)果。最后還通過(guò)門(mén)特卡羅分析來(lái)演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場(chǎng)合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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