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從基礎(chǔ)到應用全面解析無鉛焊接工藝技術(shù)
在電子制作過程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無鉛焊接工藝的...
2010-03-11
基礎(chǔ) 無鉛焊接 焊接工藝 技術(shù) 測試工作坊
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FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103：飛兆半導體提供種類最豐富的初級端調(diào)節(jié)PWM控制器系列
飛兆半導體公司業(yè)界領(lǐng)先的初級端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動充電器、適配器及LED照明應用的設計人員提供了多種解決方案，以滿足能源之星(ENERGY STAR?) Level V等標準嚴格的功率和穩(wěn)壓規(guī)范要求。
2010-03-11
FSEZ1307 FSEZ1317 FAN103 飛兆半導體 PWM控制器
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音頻放大器的額定功率
關(guān)于音頻放大器額定功率的定義，目前已有多種標準。美國聯(lián)邦貿(mào)易委員會(FTC)針對家庭音頻放大器額定功率建立了公平合理的廣告國際慣例，詳情請參見FTC文檔63FR37233，16CFR，Chapter1，Part432的描述。另一個標準為美國電子工業(yè)協(xié)會(EIA)制定的SE-101-A。本文主要介紹音頻放大器的額定功率
2010-03-11
音頻放大器 FTC PMPO
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分析師紛紛提高2010年半導體市場預測
Semiconductor International 全球1月半導體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。
2010-03-10
半導體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)
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2010后照明市場六大產(chǎn)品將獨領(lǐng)風騷
低碳概念的深入令無極燈、LED大功率戶外照明、T5和節(jié)能燈成為節(jié)能減排經(jīng)濟下的四大照明寵兒，科技的快速發(fā)展讓智能化成為電工領(lǐng)域的關(guān)鍵詞。而隨著70后、80后漸漸成為消費主力，時尚、簡約風格的水晶燈也將大行其道。這些產(chǎn)品目前的技術(shù)、現(xiàn)狀如何？2010年又將朝著哪些方向發(fā)展？
2010-03-10
照明 LED 節(jié)能 T5 無極燈 汞
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恩智浦半導體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導通電阻確立了新的基準，使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列，采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應用設計的，包括服務器、路由器、交換機，以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級器件
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136D：Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應用，136D器件可在-55℃～+85℃溫度范圍內(nèi)工作，在電壓降額的情況下可在+200℃下工作，在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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OPB733TR：Optekinc推出用于空間受限反射傳感器
Optekinc推出用于空間受限的反射傳感器OPB733TR，OPB733TR反射型物體傳感器尺寸為0.3" x 0.16"，PCB貼裝高度為0.114吋，在空間受限應用中具有增強的傳感范圍。
2010-03-09
OPB733TR Optekinc 傳感器 透鏡IR LED 光電晶體管
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