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65W 以內(nèi)電源適配器設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)

發(fā)布時(shí)間:2019-01-11 來源:tingting2013 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】接觸電子業(yè)10年,經(jīng)歷過5-6級(jí),無 Y 有 Y,EMI 整改、認(rèn)證、系列、專案等……以下為我在設(shè)計(jì)  65W 以內(nèi)的電源適配器  時(shí)的整改小經(jīng)驗(yàn)。
 
能效整改
 
1. VF 值,肖特基
 
? 低 VF 值的要比普通的要高0.5-3個(gè)百分比;
? 品牌、VF 值不一樣,有差別;
? 選型,能用40V 的就不要用45V 或者60V 的,電壓經(jīng)測試可以得出。
 
2. 加速度肖特基的導(dǎo)通
 
電源適配器基本上都在次級(jí)加入了 RCD 電路,如圖,可將 R2 更改為 D3(D3為4148),此處更改可增加老化后0.5%的效率,但是 R1 的位置要按測試 EMI 測試出來的數(shù)據(jù)相對(duì)應(yīng)的調(diào)整。
 
65W 以內(nèi)電源適配器設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)
 
3. 初級(jí) RCD
 
可將吸收的 D 更改為阻尼二極管。
 
此處更改有以下優(yōu)勢:
 
① MOS 管的峰值會(huì)下降。600V 左右的峰值會(huì)下降到520V 左右。實(shí)測為準(zhǔn)。
② 能效,老化5分鐘后,增加0.5%的效率。
③ 注意事項(xiàng),此時(shí)吸收只的 R,取值5M-10M 左右為最佳。
④ 注意 MOS 串在 RCD 上的電阻,太小會(huì)影響 EMI,大了也不適合。以測試為準(zhǔn)。
 
4. 變壓器
 
此處各位搞工程的都懂,無非就是設(shè)計(jì)時(shí)的計(jì)算與繞線方式。
 
本人經(jīng)驗(yàn)
 
? 定頻 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 時(shí)(滿載)最佳。
? 注意10%--25%負(fù)載時(shí)有沒有異音。
 
5. 電解電容 ESR
 
低 ESR 的效率要高過普通的,包括現(xiàn)在用的高分子電容。可以提高壽命與能效,是針對(duì)低壓大電流的不二選擇。
 
6. 待機(jī)
 
高壓起動(dòng)的 IC,節(jié)省了起動(dòng)電阻的損耗。非高壓起動(dòng)的 IC 可加大起動(dòng)電阻來減少待機(jī)功率,但是會(huì)影響起動(dòng)時(shí)間,可以按一定條件更改 VCC 起動(dòng)電容,或者增加二級(jí)起動(dòng)電路等,包括更改假負(fù)載電阻等,當(dāng)然太小了會(huì)出現(xiàn)空載不穩(wěn)定的現(xiàn)象等。
 
本文轉(zhuǎn)載自 21Dianyuan
 
 
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