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RS-485保護(hù)電路結(jié)電容對(duì)信號(hào)質(zhì)量的影響
RS-485總線被廣泛應(yīng)用在工業(yè)環(huán)境，可能有高等靜電或浪涌干擾，工程師通常會(huì)使用氣體放電管和TVS管搭建防護(hù)電路，但該電路的結(jié)電容較高，應(yīng)用不當(dāng)將會(huì)影響通訊。本文將為大家介紹一種低結(jié)電容的外圍電路。
2019-07-03
RS-485 保護(hù)電路 結(jié)電容 信號(hào)質(zhì)量
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拒絕光耦合器，這幾款有趣兒的解決方案了解一下？
對(duì)于電氣隔離電源，您必須確定電氣隔離控制器IC在初級(jí)或次級(jí)的哪一端將會(huì)導(dǎo)通，如果它位于次級(jí)端，則必須通過(guò)電氣隔離提供對(duì)初級(jí)端電源開(kāi)關(guān)的控制。
2019-07-02
光耦合器 電氣隔離電源 LT8301
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為什么MOSFET是自動(dòng)平衡超級(jí)電容器泄漏的最佳選擇
MOSFET可降低超級(jí)電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時(shí)間和環(huán)境變化而自動(dòng)調(diào)節(jié)。
2019-06-28
MOSFET 超級(jí)電容器 泄漏
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艾邁斯和曠視科技達(dá)成協(xié)議，實(shí)現(xiàn)適合任何智能設(shè)備的即插即用型3D臉部識(shí)別解決方案
艾邁斯半導(dǎo)體和人工智能引領(lǐng)者曠視科技今日宣布雙方簽署合作協(xié)議，將共同開(kāi)發(fā)和推廣適合任何類型智能消費(fèi)或商業(yè)設(shè)備的完整即插即用型3D臉部識(shí)別解決方案。
2019-06-28
艾邁斯半導(dǎo)體 曠視科技 智能設(shè)備 3D臉部識(shí)別
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如何獨(dú)自設(shè)計(jì)一款開(kāi)關(guān)電源？其實(shí)沒(méi)有你想象中那么難
設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源很多人覺(jué)得很難，其實(shí)不然。設(shè)計(jì)一款開(kāi)關(guān)電源并不難，難就難在做精，等你真正入門了，積累一定的經(jīng)驗(yàn)，再采用分立的結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)就簡(jiǎn)單多了。本文將講解如何一步一步設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源。
2019-06-27
電路設(shè)計(jì) 開(kāi)關(guān)電源
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如何改善開(kāi)關(guān)電源電路的EMI特性？
開(kāi)關(guān)電源小型化設(shè)計(jì)中，提高開(kāi)關(guān)頻率可有效提高電源的功率密度。但隨著開(kāi)關(guān)頻率提升，電路電磁干擾（EMI）問(wèn)題使電源工程師面臨了更大的挑戰(zhàn)。本文以反激式開(kāi)關(guān)拓?fù)錇槔?，從設(shè)計(jì)角度，討論如何降低電路EMI。
2019-06-27
開(kāi)關(guān)電源 電路 EMI特性
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連接器在工業(yè)機(jī)器人的幾種重要應(yīng)用
連接器用來(lái)在電柜和機(jī)器人之間傳送電源和信號(hào)。用適當(dāng)?shù)倪B接技術(shù)可以在機(jī)器人頭部插入連接接口，這些接口通過(guò)通信控制器將機(jī)器人連接到工廠內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)中。根據(jù)需求的不同，連接器主要用于工業(yè)機(jī)器人的以下幾種情況。
2019-06-26
連接器 工業(yè)機(jī)器人
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EMC中的基石-濾波知識(shí)大全
近期看了一些無(wú)源濾波器的資料，其中Robert Keim寫(xiě)的文章通俗易懂，讓我們一起來(lái)看看處理EMC問(wèn)題中最常用的手段-RC濾波。
2019-06-25
EMC 濾波知識(shí)
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電路板上的晶振壞了怎么辦？
如今的電子科技時(shí)代，我們已離不開(kāi)生活中的智能產(chǎn)品，尤其是手機(jī)，在這個(gè)移動(dòng)支付的快節(jié)奏城市，也許你可以試試一天沒(méi)有手機(jī)的生活，恐怕會(huì)有諸多不便。而手機(jī)卻依賴它，一顆比米粒還要小的晶振，決定了整塊電路板的"生死"。如果它不運(yùn)作，整個(gè)系統(tǒng)就會(huì)癱瘓，在行業(yè)中被人們堪比為電路板的心臟。
2019-06-24
電路板 晶振
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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