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纖巧4A降壓型μModule穩(wěn)壓器LTM4624占板面積不足1cm2
凌力爾特推出纖巧4A降壓型μModule穩(wěn)壓器LTM4624，完整解決方案的占板面積不足1cm2。LTM4624 可在4V至14V的輸入電壓范圍內(nèi)運作，提供一個0.6V至5.5V的可調(diào)輸出，非常適合通信、存儲、工業(yè)和醫(yī)療系統(tǒng)等應用。
2013-08-21
Linear μModule 穩(wěn)壓器 LTM4624
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美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT
近日，美高森美推出新一代大功率高性能650V NPT IGBT，快速高效的40A、70A和95A晶體管提供業(yè)界最佳的開關損耗性能。專為嚴苛環(huán)境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-21
美高森美 NPT IGBT IGBT
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安捷倫教你：輕松應對多標準無線電基站發(fā)射機測試挑戰(zhàn)
在下一代基站發(fā)射機和接收機中，GSM、W-CDMA 和 LTE 多載波可以同時從一個多標準無線電基站單元進行傳輸，但采用多標準無線電多載波配置使得對多標準無線電基站發(fā)射機進行測試面臨巨大的挑戰(zhàn)。為確保多標準無線電基站的順利部署，有必要通過一種快速、高效的途徑來應對測量挑戰(zhàn)。
2013-08-21
基站發(fā)射機測試 基站發(fā)射機 多標準無線電基站 安捷倫 LTE
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Maxim收購Volterra Semiconductor已達成最終協(xié)議
Maxim收購Volterra Semiconductor已達成最終協(xié)議：收購價為每股23美元，此項交易的股權(quán)價值為6.05億美元、企業(yè)價值為4.5億美元。此次收購，Maxim可以更強大力量，進一步攻略集成電源管理領域。
2013-08-16
Maxim 收購 Volterra
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e絡盟提供新型飛思卡爾Freedom開發(fā)平臺FRDM-KE02Z
e絡盟提供新型飛思卡爾Freedom開發(fā)平臺FRDM- KE02Z，一款針對噪音環(huán)境應用的高性能低成本開發(fā)板。為設計工程師提供強大的可耐受5V電壓的電磁兼容性(EMC)和靜電放電(ESD)保護功能,是惡劣噪音環(huán)境的理想開發(fā)平臺。
2013-08-16
e絡盟 飛思卡爾 Freedom FRDM-KE02Z
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華力微電子基于Encounter數(shù)字技術
開發(fā)55納米平臺的參考設計流程華力微電子基于Cadence Encounter數(shù)字技術，開發(fā)的55納米平臺上實現(xiàn)從RTL到GDSII的完整流程。該流程中所使用的Cadence數(shù)字工具包括：RTL Compiler、Encounter Digital Implementation 系統(tǒng)、Conformal LEC等。
2013-08-15
華力微電子 Cadence 55納米平臺 設計流程
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泰克專家論文入選“ICEMI 2013”
將現(xiàn)場演示防止S參數(shù)級聯(lián)時失真新法泰克專家《防止S參數(shù)級聯(lián)時失真的插值程序》論文已入選“ICEMI 2013”，為在高速串行數(shù)據(jù)鏈路系統(tǒng)分析中S參數(shù)級聯(lián)提供了一種有效防止失真的方法，并將在8月16-19日于哈爾濱舉辦的“ICEMI2013”上發(fā)表演講與現(xiàn)場演示。
2013-08-15
泰克 ICEMI S參數(shù)級聯(lián) 防止失真
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IR推出全新3.5x3.5mm超小封裝集成式穩(wěn)壓器，效率高達97.5%
IR近日新推出IR3823 SupIRBuck?集成式穩(wěn)壓器，IR3823采用3.5x3.5mm超小型封裝，具備97.5%高效率并提供高達3A的電源，適用于空間受限、節(jié)能高效的網(wǎng)絡通信、服務器和存儲應用。
2013-08-14
IR 集成式穩(wěn)壓器 穩(wěn)壓器
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英飛凌為首個采用SAC協(xié)議的電子護照項目提供安全芯片
英飛凌近日宣布，將向全球首個采用補充訪問控制（SAC）協(xié)議的電子護照項目提供安全芯片。具備“Integrity Guard”整合防護特性的英飛凌SLE 78家族安全芯片，可長期提供當前市場上最高級別的數(shù)據(jù)安全，防止數(shù)據(jù)被非法操縱。
2013-08-13
英飛凌 SAC 電子護照 安全芯片
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