本文介紹了怎樣使用 4215-CVU 電容電壓?jiǎn)卧M(jìn)行飛法電容測(cè)量,包括怎樣進(jìn)行正確的連接,怎樣在 Clarius 軟件中使用正確的測(cè)試設(shè)置來(lái)獲得最好的測(cè)量結(jié)果。如需進(jìn)一步了解怎樣進(jìn)行電容測(cè)量,包括線纜和連接、定時(shí)設(shè)置、保護(hù)和補(bǔ)償,可以參閱吉時(shí)利應(yīng)用指南“使用 4200A-SCS 參數(shù)分析儀進(jìn)行最優(yōu)電容和AC阻抗測(cè)量”。
連接器件
正確連接被測(cè)器件 (DUT) 對(duì)進(jìn)行靈敏的低電容測(cè)量至關(guān)重要。為獲得最好的測(cè)量結(jié)果,應(yīng)只使用隨機(jī)自帶的紅色 SMA
電纜把 CVU 連接到 DUT。紅色 SMA 電纜的特 性阻抗是 100W。并聯(lián)的兩條 100W電纜的特性阻抗是50W,這是高頻源測(cè)量應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)配置。隨機(jī)自帶的附件可以使用BNC或SMA連接連到測(cè)試夾具或探頭。使用隨機(jī)自帶的扭矩扳手,緊固SMA電纜連接, 確保接觸良好。
圖 1 顯示了2線傳感的CVU配置。HCUR 和 HPOT 端子連接到BNCT形裝置連接, 構(gòu) 成 CVH(HI); LCUR和LPOT連接在一起,構(gòu)成 CVL(LO)。圖2是DUT 4線傳感實(shí)例。 在本例中,HCUR 和 HPOT 端子連接到器件的一端,LPOT 和 LCUR端子連接到器件的另一端。我們使用到器件的4線連接, 通過(guò)盡可能靠近器件測(cè)量電壓,來(lái)簡(jiǎn)化靈敏的測(cè)量。
不管是2線傳感還是4線傳感,同軸電纜的外部屏蔽層必須盡可能近地連接到器件上,以使屏蔽層的環(huán)路面積達(dá)到最小。這降低了電感,有助于降低諧振效應(yīng), 這種效應(yīng)在 1 MHz 以上的頻率時(shí)可能會(huì)帶來(lái)負(fù)擔(dān)。
所有電纜要固定好,避免移動(dòng),因?yàn)樵趫?zhí)行偏置測(cè)量和實(shí)際 DUT 測(cè)量之間發(fā)生的任何移動(dòng),都可能會(huì)略微改變環(huán)路電感,影響補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)。
在測(cè)量非常小的電容時(shí),DUT屏蔽變得非常重要, 以降低由于干擾引起的測(cè)量不確定度。干擾源可以是AC信號(hào),甚至是物理移動(dòng)。金屬屏蔽層應(yīng)封閉DUT,連接到同軸電纜的外殼上。對(duì)低電容測(cè)量,最好使用 4 線傳感,但如果電纜較短, 并采用了補(bǔ)償技術(shù),使用 2 線傳感也能實(shí)現(xiàn)最優(yōu)測(cè)量。
配置 Clarius+ 軟件進(jìn)行飛法測(cè)量
在Clarius軟件中設(shè)置測(cè)量時(shí),需要在 Library 中選擇飛法項(xiàng)目,配置測(cè)試設(shè)置,執(zhí)行測(cè)量。
在 Library 中選擇飛法 - 電容項(xiàng)目。Clarius軟件Projects Library 中包括一個(gè)進(jìn)行超低電容測(cè)量的項(xiàng)目。從 Select 視圖中,在搜索條中輸入 “femtofarad”( 飛法 )。窗口中將出現(xiàn) femtofarad-capacitance( 飛法 - 電容 )項(xiàng)目,選擇Create,在項(xiàng)目樹(shù)中打開(kāi)項(xiàng)目。
配置測(cè)試設(shè)置。一旦創(chuàng)建了項(xiàng)目, 項(xiàng)目樹(shù)中會(huì)出現(xiàn) femtofarad-capacitance(飛法 - 電容)項(xiàng)目。這個(gè)項(xiàng)目有兩項(xiàng)測(cè)試:(1)cap-measure-uncompensated 測(cè)試,這項(xiàng)測(cè)試用來(lái)測(cè)量DUT的電 容;(2)open-meas 測(cè)試,這項(xiàng)測(cè)試用來(lái)獲得線纜和連接的電容。由于這些電容測(cè)量的靈敏度,我們使用與DUT測(cè)量完全相同的設(shè)置,來(lái)進(jìn)行開(kāi)路測(cè)量。然后從DUT 的電容測(cè)量中減去開(kāi)路測(cè)量。這種方法在超低 電容測(cè)量中可以實(shí)現(xiàn)非常好的效果。
為成功地進(jìn)行低電容測(cè)量,一定要在 Configure 視圖窗口中相應(yīng)地調(diào)節(jié)測(cè)量和定時(shí)設(shè)置。為進(jìn)行最優(yōu)調(diào)節(jié), 部分建議如下:
測(cè)量設(shè)置:用戶可以控制的部分設(shè)置是電流測(cè)量范圍、AC驅(qū)動(dòng)電壓和測(cè)試頻率。這對(duì)測(cè)量非常重要,因?yàn)榇_定器件電容的公式中涉及到這些項(xiàng)目。CVU從 Iac、Vac和測(cè)試頻率中計(jì)算器件電容,公式如下:
觀察公式中的關(guān)系,可以推導(dǎo)出最優(yōu)的設(shè)置, 包括電流測(cè)量范圍、AC 驅(qū)動(dòng)電壓和測(cè)試頻率。CVU 有三個(gè)電流測(cè)量范圍:1mA、30mA 和 1mA。對(duì)噪聲最低的最低電容測(cè)量,應(yīng)使用最低的電流范圍:1mA 范圍。
AC 驅(qū)動(dòng)電壓可能會(huì)影響測(cè)量的信噪比。AC 噪聲電平保持相對(duì)恒定,使用更高的 AC 驅(qū)動(dòng)電壓則會(huì)生成更大的AC電流,從而改善信噪比。因此,最好使用盡可能高的 AC 驅(qū)動(dòng)電壓。在這個(gè)項(xiàng)目中,我們使用了1 V AC 驅(qū)動(dòng)電壓。
對(duì)超低電容測(cè)量,理想情況是使用大約 1 MHz 的測(cè)試頻率。如果測(cè)試頻率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于 1 MHz,那么傳輸線效 應(yīng)會(huì)提高成功進(jìn)行測(cè)量的難度。如果測(cè)試頻率較低, 那么測(cè)量分辨率會(huì)下降,因?yàn)闇y(cè)試頻率和電流是成比例的,所以測(cè)量噪聲會(huì)提高。
定時(shí)設(shè)置:可以在 Test Settings 窗口中調(diào)節(jié)定時(shí)設(shè)置。 Speed 模式設(shè)置允許用戶調(diào)節(jié)測(cè)量窗口。對(duì)超低電容 測(cè)量,可以使用 Custom Speed 自定義速度模式設(shè)置測(cè)量時(shí)間,實(shí)現(xiàn)想要的精度和噪聲?;旧?,測(cè)量時(shí)間或窗口越長(zhǎng),測(cè)量的噪聲越少。噪聲與測(cè)量時(shí)間的 平方根成反比,如下面的公式所示:
通過(guò)計(jì)算電容測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)方差,可以得到噪聲。在Clarius軟件中,使用 Formulator 可以自動(dòng)完成這一計(jì)算。cap-meas-uncompensated 測(cè)試自動(dòng)計(jì)算噪 聲,把得到的值返回 Sheet??梢栽?Test Settings窗口中,使用Custom Speed 自定義速度模式調(diào)節(jié)測(cè)量窗口,如圖3所示。
圖 3. Test Settings 窗口中的 Custom Speed自定義速度模式。
測(cè)量窗口的時(shí)間可以用下面的公式計(jì)算:
測(cè)量窗口 = ( 模數(shù)轉(zhuǎn)換孔徑時(shí)間 ) * (FilterFactor2 或?yàn)V波數(shù) )
表 1. 1 fF電容器的測(cè)量時(shí)間相對(duì)于噪聲關(guān)系。
表 1 列出了 CVU 噪聲與測(cè)量窗口的關(guān)系,其使用 1 fF 電容器連接到 CVU 的端子,在 2 線配置下生成。 我們?nèi)?5個(gè)讀數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)方差,使用0 V DC、1 MHz 和1 V AC驅(qū)動(dòng)電壓設(shè)置獲得測(cè)量,計(jì)算出噪聲。這一數(shù)據(jù)驗(yàn)證了噪聲隨測(cè)量時(shí)間提高而下降。注意 1 秒及以上測(cè)量時(shí)間的噪聲為阿托法拉或 1 E-18F級(jí)。每個(gè)測(cè)試環(huán)境中可能要求進(jìn)行實(shí)驗(yàn),來(lái)確定測(cè)試的最優(yōu)測(cè)量時(shí)間。
執(zhí)行測(cè)量
一旦硬件和軟件配置完成,我們就可以執(zhí)行測(cè)量。在理想情況下,4200A-SCS應(yīng)預(yù)熱至少一小時(shí),然后再進(jìn)行測(cè)量。用下面四步獲得補(bǔ)償后的測(cè)量,重復(fù)測(cè)試結(jié)果。
1. 測(cè)量器件的電容。在項(xiàng)目樹(shù)中選擇 cap-meas-uncompensated 測(cè)試。在 Configure 視圖中,根據(jù) 器件和應(yīng)用調(diào)節(jié)測(cè)試設(shè)置。運(yùn)行測(cè)試。
2. 測(cè)量開(kāi)路。在項(xiàng)目樹(shù)中選擇 open-meas 測(cè)試。把 測(cè)試設(shè)置調(diào)節(jié)到與 cap-meas-uncompensated 測(cè) 試中的測(cè)試設(shè)置完全相同,包括數(shù)據(jù)點(diǎn)數(shù)和電壓階 躍數(shù)。只斷開(kāi) CVH (HCUR 和 HPOT) 電纜。確保未 端接的電纜蓋上帽子。運(yùn)行開(kāi)路測(cè)試。
3. 分析結(jié)果。在項(xiàng)目樹(shù)中選擇 femtofarad-capaci-tance 項(xiàng)目,選擇 Analyze 視圖。圖 4 是顯示了補(bǔ)償后的 1 fF 測(cè)量的截圖。
圖 4. Analyze 視圖Sheet表單和Graph示圖截圖顯示了 1 fF測(cè)量。
注意最新電容和開(kāi)路測(cè)量及噪聲計(jì)算出現(xiàn)在 Sheet中。來(lái)自項(xiàng)目樹(shù)中所有測(cè)試的Data Series出現(xiàn)在屏幕右側(cè)。如圖5所示,我們選擇了從capmeas-uncompensated和 open-meas 測(cè)試中獲得的 Latest Run 最新一輪測(cè)量的Series List 系列列表。這意味著 每次執(zhí)行測(cè)試時(shí),Sheet 表單中都會(huì)填寫(xiě)最新數(shù)據(jù)。
圖 5. 來(lái)自測(cè)試的 Data Series。
Formulator中已經(jīng)設(shè)置了一個(gè)公式, 在 Project級(jí)Analyze視圖表單Sheet 中, 從 cap-meas-uncompensated 測(cè)試數(shù)據(jù)中減去 open-meas 測(cè)試數(shù) 據(jù),自動(dòng)計(jì)算補(bǔ)償后的電容測(cè)量。圖表顯示了補(bǔ)償后 的電容隨時(shí)間變化情況。Sheet中的 CAPACITANCE 欄列出了補(bǔ)償后的測(cè)量以及所有讀數(shù)的平均電容。圖6顯示了 Latest Run Sheet 最新運(yùn)行表單數(shù)據(jù)及電容 測(cè)量 (Cp-AB)、時(shí)間、噪聲、開(kāi)路測(cè)量、補(bǔ)償后的測(cè) 量 ( 電容 ) 和平均電容(AVG_CAP)。
圖 6. Analyze 視圖表單 Sheet 中顯示的測(cè)試數(shù)據(jù)。
4. 重復(fù)測(cè)量。選擇Run,可以從項(xiàng)目級(jí)重復(fù)測(cè)量,將自動(dòng)計(jì)算補(bǔ)償?shù)淖x數(shù)。但是,一定不能勾選 open-meas測(cè)試,如圖7所示。如果數(shù)據(jù)以非預(yù)期的方式運(yùn)行,應(yīng)定期重復(fù)采集的開(kāi)路測(cè)量。這可能是由溫度偏移或電纜移動(dòng)引起的。
圖 7. 不要勾選 open-meas 測(cè)試,從項(xiàng)目級(jí) Analyze 視圖中重復(fù)測(cè)量。
總結(jié)
通過(guò)使用 Library 項(xiàng)目、正確連接和相應(yīng)的測(cè)量技術(shù) 和設(shè)置,我們可以使用 4215-CVU 測(cè)量飛法級(jí)電容。使用 4215-CVU 及相應(yīng)的測(cè)量窗口,可以實(shí)現(xiàn)幾十阿托法托及以下的噪聲。