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瑞薩推出全新創(chuàng)新型“云實(shí)驗(yàn)室”環(huán)境，可實(shí)時訪問熱門應(yīng)用解決方案
2021 年 1 月 21 日，日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán)（TSE：6723）今日宣布，推出全新“云實(shí)驗(yàn)室”環(huán)境，將瑞薩解決方案（包括熱門評估板、成功產(chǎn)品組合及軟件）托管在一個遠(yuǎn)程實(shí)驗(yàn)室中，客戶可進(jìn)行在線訪問和測試。用戶可通過以下網(wǎng)址訪問“云實(shí)驗(yàn)室”：www.renesas.com/labonthec...
2021-01-21
瑞薩 云實(shí)驗(yàn)室 熱門應(yīng)用 解決方案
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貿(mào)澤電子打造現(xiàn)代化智慧倉儲，助力分銷升級
2021年1月20日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 以先進(jìn)的自動化技術(shù)確保其不斷擴(kuò)張的全球配送中心高效運(yùn)轉(zhuǎn)，準(zhǔn)時無誤地將產(chǎn)品交到成千上萬的全球客戶手上。
2021-01-20
貿(mào)澤電子 智慧倉儲 分銷
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氮化鎵晶體管的并聯(lián)配置應(yīng)用
在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場的應(yīng)用場景中，提升效率極限一或兩個百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢，在這種情況下采用基于氮化鎵（GaN）晶體管的解決方案意義重大。
2021-01-19
氮化鎵晶體管 柵極驅(qū)動電路 PCB
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貿(mào)澤電子推出全新LoRaWAN技術(shù)資源網(wǎng)站
2021年1月18日 – 專注于引入新品的全球電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出了一個全新資源網(wǎng)站，專門用于介紹LoRaWAN?標(biāo)準(zhǔn)及其功能、應(yīng)用與相關(guān)產(chǎn)品。歡迎點(diǎn)擊https://resources.mouser.com/lora，即可訪問這個全新的綜合性網(wǎng)站。
2021-01-18
貿(mào)澤電子 LoRaWAN技術(shù) 網(wǎng)站
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三極管的倒置狀態(tài)及其作用
集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)反偏，為倒置狀態(tài)；集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏，為飽和狀態(tài)；集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)反偏，為倒截止態(tài)；集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏，為放大狀態(tài)。
2021-01-15
三極管 倒置狀態(tài)
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為何eMMC芯片磨損導(dǎo)致MCU和車輛無法正常運(yùn)作？
ODI最近對較舊的Teslas Model S和Model X車輛提出的信息要求突顯了工作負(fù)載疏忽，其中基于NVIDIA Tegra 3處理器和集成8GB eMMC NAND閃存的主控制單元（MCU）遇到了問題。
2021-01-13
eMMC芯片 MCU 車輛
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適用于現(xiàn)代遠(yuǎn)程醫(yī)療應(yīng)用的不斷發(fā)展的半導(dǎo)體技術(shù)
醫(yī)療保健繼續(xù)朝著自我治療的方向發(fā)展，而不再需要每次去醫(yī)院現(xiàn)場治療。除了幫助減少身體接觸外，新技術(shù)還使普通民眾獲得了用于自我監(jiān)測和遠(yuǎn)程治療的醫(yī)療保健工具，而這在以前是無法實(shí)現(xiàn)的。
2021-01-11
遠(yuǎn)程醫(yī)療 應(yīng)用 半導(dǎo)體技術(shù)
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康普觀點(diǎn)：2021年數(shù)據(jù)中心關(guān)鍵趨勢前瞻
2021年，數(shù)據(jù)中心將加速部署新興技術(shù)。高性能網(wǎng)絡(luò)不斷增長的需求，管理效率的提高以及COVID-19疫情的影響等全球重要趨勢都將對數(shù)據(jù)中心新興技術(shù)的部署產(chǎn)生影響。外賣訂單的增多和實(shí)體店零售購物的大幅下滑，大大推動了線上銷售的增長，也對數(shù)據(jù)中心帶來了顯著影響。以下是2021年數(shù)據(jù)中心的四大發(fā)展...
2021-01-08
康普 數(shù)據(jù)中心 關(guān)鍵趨勢
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如何有效地檢測Sic MOSFET？
隨著寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)的廣泛應(yīng)用，需要將二極管在高溫和苛刻的電流循環(huán)條件下，進(jìn)行各種耐久性測試，來評估其性能。毫無疑問，功率電子器件作為基本元器件，將在未來幾年中持續(xù)發(fā)展。而新型碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料更是不負(fù)眾望，它比傳統(tǒng)硅材料導(dǎo)熱性更佳、開關(guān)速度更高，而且可以使器件尺寸做到更...
2021-01-07
Sic MOSFET 寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù) 二極管
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