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H橋電路的有刷直流電機(jī)驅(qū)動:輸出狀態(tài)的切換

發(fā)布時間:2021-03-10 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在上一篇文章中介紹了有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋電路的原理。本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋的實際控制(切換)。
    
在上一篇文章中介紹了《使用H橋電路驅(qū)動有刷直流電機(jī)的原理》。本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋的實際控制(切換)。
 
H橋電路:輸出狀態(tài)的切換
 
在上一篇文章中我提到過在向電機(jī)的兩個端子施加電壓時有四種連接方式:
 
 ①兩個端子都不與任何地方連接。
 ②將直流電源的(+)連接至一個端子,(-)連接至另一端子。
 ③將直流電源按照與②相反的極性連接至電機(jī)。
 ④兩個端子之間相連接。
 
如果可以輸入2位二進(jìn)制值,則可以通過它們的組合來創(chuàng)建這四種狀態(tài)。舉一個簡單的例子,如果有2個邏輯輸入端子,則可以獲得2*2=4種組合。下面是內(nèi)置H橋電路的有刷直流電機(jī)驅(qū)動器的示例,這里給出了大致的內(nèi)部功能框圖。
 
 
 H橋電路的有刷直流電機(jī)驅(qū)動:輸出狀態(tài)的切換
 
用于切換H橋狀態(tài)的邏輯電路是以IN1和IN2作為輸入、由虛線圍起來的部分。該邏輯電路的真值表如下:
 
H橋電路的有刷直流電機(jī)驅(qū)動:輸出狀態(tài)的切換
 
可以看出相對于IN輸入邏輯的VG狀態(tài)。VG是Q1~Q4的各MOSFET的柵極電壓狀態(tài)。例如,Q1的VG為H,這表示施加了H電平的電壓,而不是直接表示Q1的ON/OFF。
 
該H橋是Pch MOSFET(Q1,Q3)和Nch MOSFET的組合。高邊側(cè)是Pch,低邊側(cè)是Nch對(Q1和Q2,Q3和Q4),各漏極和源極都已連接并成為OUT1(Q1和Q2對)和OUT2(Q3和Q4對)的輸出。
 
從框圖中可以看出,Pch的Q1和Q3在柵極上帶有活動狀態(tài)的L符號,因此VG為L,處于導(dǎo)通(ON)狀態(tài)。Q2和Q4為活動狀態(tài)的H,因此Q2和Q4為H,并處于導(dǎo)通(ON)狀態(tài)。僅從這點看,它與CMOS逆變器邏輯電路相同,但是柵極由IN1和IN2分別控制。
 
OUT對應(yīng)創(chuàng)建四種所需狀態(tài)。OPEN表示所有MOSFET均關(guān)斷且處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。L表示通過MOSFET連接到GND,H表示連接到電機(jī)電源VM。
 
盡管與H橋的控制邏輯沒有直接關(guān)系,但功能模塊中顯示的電平轉(zhuǎn)換(Level Shift)和同時導(dǎo)通防止功能是硬件控制所需功能的示例。
 
電平轉(zhuǎn)換是一種可轉(zhuǎn)換低電壓邏輯電路的輸出電壓以適應(yīng)高電壓MOSFET驅(qū)動的電路。邏輯電路部分設(shè)計為在3.3V或2.5V的常規(guī)邏輯電平下運(yùn)行,但H橋部分則在5V、12V、24V等高電壓(電機(jī)的驅(qū)動電壓)下運(yùn)行。因此,由于不能直接用低電壓邏輯輸出電平來驅(qū)動而需要電平轉(zhuǎn)換電路。
 
同時導(dǎo)通防止功能是用來防止在高邊晶體管和低邊晶體管ON/OFF切換時可能會發(fā)生的兩邊晶體管同時導(dǎo)通的功能。這是由邏輯切換時的微妙時間點引起的現(xiàn)象。經(jīng)常被提到的是在同步整流開關(guān)電源案例中,在交疊(Overlap)導(dǎo)通的瞬間,會有被稱為“直通(Shoot-through)電流”的電流從電源流向GND,存在損壞開關(guān)晶體管或IC的風(fēng)險。
 
雖然談了一點看似關(guān)系不大的內(nèi)容,不過請抓住本文的重點:可以利用2位邏輯輸入來通過H橋獲得四種狀態(tài)。
 
關(guān)鍵要點:
 
?可以通過2位邏輯來實現(xiàn)H橋四種連接狀態(tài)的切換。
 
?除有刷直流電機(jī)的H橋和有刷直流電機(jī)的控制邏輯電路外,許多實際的有刷直流電機(jī)驅(qū)動IC還具有電平轉(zhuǎn)換和同時導(dǎo)通防止功能。
 
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