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降低輻射干擾---陶大師教你三招定乾坤

發(fā)布時間:2015-01-31 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】最近,小編正為設(shè)計的一款電源輻射干擾超標(biāo)20db抓耳撓腮,廢寢忘食。遂決定找度娘看能否找到解決之道,神游之際,看見電子元件技術(shù)網(wǎng)的“每周一問”正打得熱火朝天,說不定能解決我的問題,抱著一試的態(tài)度進(jìn)去溜了一圈,還真是不負(fù)眾望,居然得到了陶顯芳老師親傳絕學(xué),簡直大豐收啊。下面就來看看陶顯芳陶大師是如何教我三招定乾坤的,不看你會后悔哦!

第一招:在所有的整流二極管的一端串聯(lián)一小磁珠
 
在所有的整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠,相當(dāng)于在整流濾波回路中串聯(lián)一個高頻小電感,這樣可以降低整流濾波回路的電流上升率(di/dt),對降低輻射干擾有好處,因?yàn)楦蓴_信號(磁場干擾)與電流上升率成正比,還與產(chǎn)生干擾磁場的電流回路的面積成正比:
 
 1
(1)
 
式中:e為感應(yīng)電動勢(干擾信號),Φ為干擾磁場產(chǎn)生的磁通,dΦ/dt為磁通變化率;S為產(chǎn)生干擾磁場電流回路的面積,為B為干擾磁場產(chǎn)生的磁通的密度,dB/dt為磁通密度變化率;L為分布電感,即,產(chǎn)生干擾磁場電流回路的分布電感,i為流過產(chǎn)生干擾磁場電流回路(整流濾波回路)的電流,di/dt為電流變化率。
 
在(1)式中,磁通Φ和磁通的密度B以及分布電感L,雖然單位(或概念)不同,但它們互相之間是對應(yīng)的。例如,電感L(磁感應(yīng)系數(shù))為單位電流產(chǎn)生的磁通Φ,而Φ又等于磁通密度B與面積S的乘積。由此可知,改變di/dt為電流變化率就是間接地改變磁通變化率dΦ/dt,從而改變感應(yīng)電動勢e的大??;同樣,改變電流回路的面積S,亦可以改變感應(yīng)電動勢e的大小,因此,在進(jìn)行電路設(shè)計時,減小電流回路的面積S是降低輻射干擾最有效和最簡單的方法。
 
在所有的整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠,降低整流濾波回路電流上升率(di/dt)的原理,還可以用圖1來分析。
 
圖1-(a)為開關(guān)電源整流電路原理圖,圖1-(b)為在整流二極管的一端串聯(lián)小磁珠的開關(guān)電源整流電路等效原理圖
 
 2
 
波形A為開關(guān)電源整流濾波電路各點(diǎn)的輸出電壓,Ui為開關(guān)變壓器次級線圈輸出波形的半波平均值、Uo為輸出電壓的平均值,斜線為濾波電容器兩端的紋波電壓;波形B為輸出電壓的紋波,紅線為電容充電,藍(lán)線為放電;波形C和圖-E分別為未加磁珠前和加磁珠后,流過整流二極管的電流(紅線),和濾波電容放電的電流(藍(lán)線)。
 
第二招:在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻,并在控制極并一50p的電容到地
 
在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻,并在控制極并一50p的電容到地,其主要作用也是為了降低開關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt,從而達(dá)到降低電磁場輻射強(qiáng)度的目的。
 
輻射干擾分電場輻射干擾EI(Electro  Interference)和磁場輻射干擾MI(magnetic  Interference)。電場和磁場分別是兩種性質(zhì)不同,可攜帶能量的介質(zhì),它們的分布,充滿整個宇宙空間,并且兩者之間的能量可以互相轉(zhuǎn)換;當(dāng)某處電磁場的位能產(chǎn)生變化時,整個宇宙空間中的電磁場都需要重新進(jìn)行分布,并以每秒鐘30萬公里的速度在真空中進(jìn)行傳播,因此,電、磁干擾無處不在。
 
產(chǎn)生電場干擾的基本原因是帶電物體的電荷在重新進(jìn)行分布,相當(dāng)于分布電容在不斷進(jìn)行充放電;產(chǎn)生磁場干擾的基本原因是流過導(dǎo)體中的電流大小和方向在不斷改變,相當(dāng)于分布電感產(chǎn)生的磁通的大小和方向在不斷變化。
 
電磁干擾的本質(zhì)就是電感應(yīng)(電場感應(yīng))和磁感應(yīng)(磁場感應(yīng)),與電感應(yīng)相關(guān)的是分布電容,而與磁感應(yīng)相關(guān)的是分布電感。
 
在帶電導(dǎo)體的周圍空間會散發(fā)出電場,并使周圍的導(dǎo)體感應(yīng)帶電;當(dāng)載流體中有電流流過時,在其周圍就會產(chǎn)生磁場,交變磁場會使周圍的電路產(chǎn)生感應(yīng)電動勢。電磁場是一種具有能量的物質(zhì),它們在真空中以每秒30萬公里的速度向整個宇宙空間輻射它在真空中以每秒30萬公里的速度向整個宇宙空間輻射,并且它們在傳播過程中互相可以轉(zhuǎn)換。
 
帶電物體在原理上相當(dāng)于一個分布電容,互相被感應(yīng)帶電的物體就相當(dāng)于電容器的兩個極,而電容C就相當(dāng)于兩個帶電物體互相產(chǎn)生電場感應(yīng)的系數(shù);同理,載流體在原理上相當(dāng)于一個分布電感,互相被感應(yīng)產(chǎn)生電動勢的載流體就相當(dāng)于變壓器的兩個線圈。——這里要注意電容C(電場感應(yīng)系數(shù))與電容器的區(qū)別;同理,大家也要注意互感M與電感L(磁感應(yīng)系數(shù),自感)的區(qū)別,兩者在本質(zhì)上是不一樣的。
 
兩根相鄰導(dǎo)體,當(dāng)其中一根導(dǎo)體中有電流流過時,通過電磁感應(yīng),在另一導(dǎo)體中就會產(chǎn)生感應(yīng)電動勢,并產(chǎn)生感應(yīng)電流,感應(yīng)電流也可以叫位移電流,因?yàn)?,無論被感應(yīng)導(dǎo)體是否夠成電流回路、開路或短路,在交變磁場的感應(yīng)下,在導(dǎo)體中總有位移電流在流動。位移電流的方向正好與感應(yīng)導(dǎo)體中電流的方向相反,其產(chǎn)生磁場的方向也正好與感應(yīng)導(dǎo)體電流產(chǎn)生的磁場方向相反。
 
因此,位移電流的大小就取決于兩導(dǎo)體互相被干擾的程度。如果用位移電流來表示電場感應(yīng)產(chǎn)生的干擾,則有:
 
 
(2)
 
式中:i為流過導(dǎo)體(被干擾導(dǎo)體)的位移電流(或充放電電流),C為兩導(dǎo)體之間的分布電容(電場感應(yīng)的系數(shù)),dv/dt為載電導(dǎo)體的電位變化率。
 
在電磁輻射中,電場輻射干擾和磁場輻射干擾是同時存在的,因此,在開關(guān)管的控制極串聯(lián)一電阻,并在控制極并一50p的電容到地,實(shí)際上就是用來降低開關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt,從而達(dá)到降低電磁場輻射強(qiáng)度的目的。
 
在實(shí)際應(yīng)用中,用降低開關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt,來降低輻射干擾的方法,往往是不可取的,因?yàn)榻档烷_關(guān)管導(dǎo)通或關(guān)斷期間的電壓上升率dv/dt和電流上升率di/dt,將會延長開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷時間,從而增大電源開管的損耗,使開關(guān)電源的工作效率大大降低。
 
開關(guān)管的開關(guān)損耗與開關(guān)管在普通開關(guān)電路中的損耗是不一樣的,在普通開關(guān)電路中,開關(guān)管的開關(guān)損耗與開關(guān)管的導(dǎo)通或關(guān)斷時間成正比,而在開關(guān)電源中,由于反電動勢的存在,使開關(guān)管的開關(guān)損耗計算非常復(fù)雜。
 
在開關(guān)電源中,開關(guān)電源的開關(guān)管的損耗主要是關(guān)斷損耗,開關(guān)管的導(dǎo)通損耗相對來說比較小,并且正激式開關(guān)電源的開關(guān)損耗與反激式開關(guān)電源開關(guān)管的開關(guān)損耗也不一樣,在正激式開關(guān)電源中,開關(guān)管的導(dǎo)通損耗要比反激式開關(guān)電源開關(guān)管的導(dǎo)通損耗大很多。
 
下面我們結(jié)合開關(guān)管的等效電路來對開關(guān)管的損耗進(jìn)一步進(jìn)行分析。
 
 晶體管開關(guān)電源原理圖
 圖1-a 為晶體管開關(guān)電路原理圖
 
 
 為晶體管開關(guān)等效電路原理圖
圖1-b 為晶體管開關(guān)等效電路原理圖
 
圖1-a和圖1-b分別為為晶體管開關(guān)電路的原理圖和等效電路原理圖,圖中:ub為晶體管(電源開關(guān)管)基極(或MOS管的柵極)的輸入電壓,Ri為晶體管基極(或MOS管的柵極)的輸入電阻,Ro為晶體管集電極(或MOS管的漏極)到地(發(fā)射極或源極)的靜態(tài)輸出電阻,Lo+ Ro為晶體管導(dǎo)通時集電極(或MOS管的漏極)到地(發(fā)射極或源極)的動態(tài)輸出電阻,Co+ Ro為晶體管關(guān)斷時集電極(或MOS管的漏極)到地(發(fā)射極或源極)的動態(tài)輸出電阻。
 
由圖1-b看出,可以把晶體管(或MOS管)輸入端可等效成一個電容C與一電阻R并聯(lián),其輸入電壓為:
 
 4
 (3)
 
當(dāng)晶體管(或MOS管)導(dǎo)通時,其輸出端可等效成一個電感L與電阻R串聯(lián);而當(dāng)關(guān)斷時,其輸出端可等效成一個電容C與一電阻R串聯(lián);其輸出電壓為:
 
 5
(4)
 
集電極電流為:
 
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 (5)
 
第三招:在所有的整流二極管兩端并聯(lián)一個470p電容


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【經(jīng)驗(yàn)分享】降低輻射干擾---陶大師教你三招定乾坤



 
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