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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對稱的布板設計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián),給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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一個正負5v穩(wěn)壓電源的簡單制作
在正常情況下我們很難找到一個標準的正負電源,就連我們使用的電池電壓都是正的,如果找到一個負電源那真是很難,而我們又會經(jīng)常會用到正負電源,這時候我們就得想辦法得到一個正負電源了,今天就教給大家一個非常簡單的方法,讓你輕輕松松制作一個正負5v的穩(wěn)壓電源。
2022-02-16
正負5v穩(wěn)壓電源
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實際示例證明,在模擬工具的支持下,SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點。
2022-02-16
SiC FET 功率轉(zhuǎn)換器
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎
領先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)很高興地宣布,其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
2022-02-15
安森美 NCP1680 PFC控制器 PowerBest獎
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如何進一步優(yōu)化可實現(xiàn)顯示屏的 LED 驅(qū)動器
驅(qū)車行駛在城市的大街上時,環(huán)顧一下四周,您會看到越來越多的全色 LED 標牌及留言板出現(xiàn)在商店、飯店和辦公大樓的外墻上。隨著 LED 矩陣顯示系統(tǒng)產(chǎn)量的快速增長,廣告標牌現(xiàn)在可提供商店老板可承受的價格。為了支持這一需求,我們正在努力開發(fā)新技術(shù),進一步優(yōu)化可實現(xiàn)這些顯示屏的 LED 驅(qū)動器。
2022-02-14
顯示屏 LED 驅(qū)動器
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功率半導體電流額定值和熱設計
電流額定值相關的溫度可能與實際工作條件有關,也可能無關。如果有關,電流額定值可用于指示實際應用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環(huán)境(如25oC)不會遇到的溫度時得出的值,它就無法提供應用中實際器件能力的信息。該值只能用來比較相似器件在相同溫度時的電流額定值
2022-02-14
功率半導體 電流額定值 熱設計
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一文弄懂IGBT驅(qū)動
要了解什么是IGBT驅(qū)動,首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道,電機驅(qū)動是IGBT的主要應用領域之一。
2022-02-11
IGBT驅(qū)動
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針對負電壓浪涌的對策及其效果
繼上一篇“正電壓浪涌對策”之后,本文將會通過示例來看針對負電壓浪涌的對策及其效果。
2022-02-11
負電壓浪涌 對策
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派恩杰SiC驅(qū)動設計新探索:如何避免誤開通?
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降,SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個數(shù)量級的優(yōu)勢正逐漸普及,獲得越來越多的工程應用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件,SiC MOSFET具有更小的導通電阻,更快的開關速度,使得系統(tǒng)損耗大幅降低,效率提升,體積減小,從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化,因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅(qū)動設計 誤開通
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