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測試測量

電子元器件業(yè)景氣期將至相關公司擴張產(chǎn)能

電子元器件類上市公司近期的擴張產(chǎn)能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進行產(chǎn)能擴張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產(chǎn)線項目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產(chǎn)線技術改造項目，總投資為2億元。

2009-12-21

電子元器件景氣期將至公司擴張半導體

DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術分離DDR讀寫周期

測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。

2009-12-18

DDR測試力科 WaveScan 分離讀寫周期

DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例

SDRAM時鐘分析案例:串聯(lián)匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯(lián)的電阻和并聯(lián)的電容，如果MCU輸出的時鐘驅(qū)動能力弱，可以不使用并聯(lián)的電容或者換用較小的電阻。準確的測量內(nèi)存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶...

2009-12-18

DDR 測試 SDRAM 時鐘分析

東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件

東京大學研究生院工學系研究專業(yè)附屬綜合研究機構(gòu)與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術。

2009-12-18

東大晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項目硅

工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產(chǎn)品污染

日前，為了幫助廣大電子信息產(chǎn)品制造企業(yè)確定所生產(chǎn)產(chǎn)品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產(chǎn)品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。

2009-12-18

工信部電子產(chǎn)品污染環(huán)保

AUIPS7121R/7141R：IR推出堅固可靠的智能功率開關

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 AUIPS7121R 和 AUIPS7141R 65V 高側(cè)智能功率開關 (IPS) 。新產(chǎn)品具有精確的電流感應和內(nèi)置保護電路，適用于嚴苛的24V汽車環(huán)境，如卡車的引擎罩接線盒等。

2009-12-18

IR AUIPS7121R AUIPS7141R 智能功率開關

繼電器：行業(yè)出現(xiàn)轉(zhuǎn)機新興市場尋求突破

國家十大產(chǎn)業(yè)振興規(guī)劃涉及的行業(yè)無不與繼電器產(chǎn)品有關，高速鐵路、電力能源、汽車、裝備制造業(yè)等等都在升級換代，要求更多、更新技術的繼電器產(chǎn)品。

2009-12-18

繼電器行業(yè)轉(zhuǎn)機新興市場電子元件

富士通英國員工擬6次罷工抗議公司裁員

富士通的英國員工將連續(xù)進行六次罷工活動，內(nèi)容是反對該公司采取裁員、凍結(jié)薪酬及養(yǎng)老金改革等措施。

2009-12-18

富士通英國罷工抗議裁員

電子電氣設備的電路隔離技術

對電子電氣電路的各種隔離進行了詳盡的分析討論，提出了抑制干擾而采取的電氣隔離的技術措施，從而保證電氣設備的正常工作。

2009-12-18

電子電氣設備電路隔離

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電子電氣設備的電路隔離技術

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