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射頻封裝系統(tǒng)
在RF系統(tǒng)中，各類元件采用不同的技術(shù)制作而成，例如BBIC采用CMOS技術(shù)、收發(fā)機(jī)采用SiGe和BiCMOS技術(shù)、RF開關(guān)采用GaAs技術(shù)等。系統(tǒng)芯片(SOC)的優(yōu)勢(shì)是把所有功能整合在同一塊芯片上，但卻受到各種IC技術(shù)的限制，因此不能有效利用上述各項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)可以對(duì)各種不同技術(shù)的不同電、熱和...
2010-06-22
射頻 封裝系統(tǒng) ASIC BBIC
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原子層淀積技術(shù)
ALD技術(shù)的獨(dú)特性決定了其在半導(dǎo)體工業(yè)中的運(yùn)用前景十分廣泛。器件尺寸的縮小導(dǎo)致的介質(zhì)薄膜厚度的減小已超出了其物理和電學(xué)極限，同時(shí)高縱寬比在器件結(jié)構(gòu)中隨處可見。由于傳統(tǒng)的淀積技術(shù)很難滿足需求，ALD技術(shù)已充分顯示了其優(yōu)勢(shì)，為器件尺寸的繼續(xù)微縮提供了更加廣闊的空間。本文介紹原子層淀積技...
2010-06-22
原子層淀積 ALD MOCVD PVD
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產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國(guó)太陽能產(chǎn)業(yè)在全球居于領(lǐng)先地位
來自全球太陽能產(chǎn)業(yè)巨人的投資使得德國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步增長(zhǎng)，在2009年其3.8 GW 的總裝機(jī)容量或者一半新的裝機(jī)容量，使其在這一領(lǐng)域居于世界領(lǐng)先地位。
2010-06-22
太陽能 光伏 薄膜 電池
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Microchip擴(kuò)展mTouch電容式觸摸傳感技術(shù)能力
Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）宣布，推出業(yè)界第一個(gè)也是唯一的一項(xiàng)可以以金屬為前面板的電容式觸摸傳感技術(shù)。
2010-06-22
Microchip mTouch 電容式觸摸傳感
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Vishay推出具有超短傳播延遲的新款高速模擬光耦
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款采用標(biāo)準(zhǔn)SOP-5封裝的高速模擬光耦 --- VOM452T和VOM453T。
2010-06-22
Vishay 超短傳播延遲 模擬光耦
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LED驅(qū)動(dòng)電路功率因數(shù)改善探討以及NCP1014解決方案
本參考設(shè)計(jì)將分析現(xiàn)有照明LED驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)功率因數(shù)低的原因，探討改善功率因數(shù)的技術(shù)及解決方案，介紹相關(guān)設(shè)計(jì)過程、元器件選擇依據(jù)、測(cè)試數(shù)據(jù)分享，顯示這參考設(shè)計(jì)如何輕松符合“能源之星”固態(tài)照明標(biāo)準(zhǔn)的功率因數(shù)要求，非常適合低功率LED照明應(yīng)用。
2010-06-21
功率因數(shù) PFC NCP1014LEDGTGEVB NCP1014
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BGA封裝的焊球評(píng)測(cè)
BGA和CSP等陣列封裝在過去十年里CAGR已增長(zhǎng)了近25%，預(yù)計(jì)還將繼續(xù)維持此增長(zhǎng)率。同時(shí)，器件封裝更加功能化，具有更高的I/O數(shù)量，更細(xì)的節(jié)距。但是好的焊球是什么樣一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)，如何才能做好是很多初學(xué)者的疑問，請(qǐng)看本文為你的分析
2010-06-21
BGA封裝 焊球 評(píng)測(cè) HJTECH
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可制造性設(shè)計(jì)
PCB可制造性設(shè)計(jì)分析（DFM系統(tǒng)）是一個(gè)促進(jìn)生產(chǎn)力的強(qiáng)大工具。它能促使你在毫無損失的情況下使設(shè)計(jì)更加小型化，降低產(chǎn)品上市時(shí)間并信心十足地在全球制造趨勢(shì)中獲利受益。如果不使用DFM，則你可能面臨高成本、高風(fēng)險(xiǎn)的巨大挑戰(zhàn)。不信，那么請(qǐng)仔細(xì)的閱讀本文
2010-06-21
可制造性 DFM PCB設(shè)計(jì) 新產(chǎn)品導(dǎo)入（NPI）
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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級(jí)，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的成長(zhǎng)。對(duì)40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對(duì)3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長(zhǎng)動(dòng)能。
2010-06-21
半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner
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