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Pwrx推出高壓大電流二極管模塊QRSB165001/QRD6565001
QRSB165001/QRD6565001二極管模塊采用帶狀,67mm二極管單元(每個(gè)模塊有2個(gè)),可提供的穩(wěn)態(tài)電流為650A,用于高電壓/電流隔離。
2010-04-20
Pwrx 高壓 大電流 二極管 QRSB165001
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分立器件低端市場中國企業(yè)已無差距
近年來,半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件的二、三極管,其銷售額在世界半導(dǎo)體總銷售額中所占比重逐年下降,但是分立器件每年的銷售額仍以個(gè)位數(shù)平穩(wěn)增長。國內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展稍好,且以每年兩位數(shù)的速度增長,高于世界的增長水平。由此可見,半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間
2010-04-20
分立器件 低端市場 無差距 銷售額 下降
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泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器
日前,泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器,用于實(shí)現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線,通過絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過程中繁重的人工工作
2010-04-20
泰科 ROHS認(rèn)證 標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器
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應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
2010-04-19
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
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2011年車燈市場LED尾燈成長最強(qiáng)勁
由于車燈市場發(fā)展也進(jìn)入成熟期,先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車燈市場規(guī)模132億美元,到2011年可望成長到150億美元規(guī)模。其中,LED車燈市場規(guī)模約6.9億美元,但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì),到2011年全球LED車燈市場規(guī)模將可成長到12億美元,LED車燈市場滲透率上看8%,年復(fù)合成長率達(dá)13%。
2010-04-19
車燈市場 LED尾燈 強(qiáng)勁 滲透率
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東京農(nóng)工大學(xué)開發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布,開發(fā)出了采用碳納米纖維(CNF)與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器,與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比,實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示,將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱,該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM(figure of merit,優(yōu)值)為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為37A。批量購買1萬個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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2011年電路保護(hù)市場將持續(xù)增長
2011年,市場預(yù)測預(yù)測表明:表面貼裝式壓敏電阻將在手機(jī)和汽車電子市場持續(xù)成長;聚合物PTC熱敏電阻在傳統(tǒng)過流保護(hù)如筆記本電腦和上網(wǎng)本的USB防護(hù)和電池的二次防護(hù)方面得到發(fā)展;NTC熱敏電阻的市場重心將偏向汽車和大型家庭用空調(diào)系統(tǒng)(其價(jià)值在于組件的生產(chǎn),而不是熱敏電阻本身);氣體放電管由于...
2010-04-16
過流保護(hù) 過壓保護(hù) 電路保護(hù)
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全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出衰退潮有望扭轉(zhuǎn)
國際研究暨顧問機(jī)構(gòu)Gartner發(fā)布最終統(tǒng)計(jì)結(jié)果,2009年全球半導(dǎo)體設(shè)備資本設(shè)備支出為166億美元,較2008年衰退45.8%。在主要設(shè)備部門中,受到削減資本支出的沖擊,晶圓廠設(shè)備支出大幅下滑47%,后端設(shè)備(BEE)支出亦減少40%。
2010-04-16
半導(dǎo)體設(shè)備 資本支出 衰退潮 扭轉(zhuǎn)
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