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MM8202/MM8102：IDT推出全硅CMOS振蕩器
IDT推出全硅 CMOS 振蕩器 MM8202 和 MM8102。這些集成電路滿足小型化要求，在消費、計算和存儲應用中無需使用石英諧振器和振蕩器，為所有常見串行有線接口提供優(yōu)異的鏈接性能。
2010-05-07
MM8202 MM8102 IDT CMOS 振蕩器
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Lumex推出承受105℃高溫的7段LED
Lumex推出承受105℃高溫的7段LED ，QuasarBrite7段數(shù)字LED顯示器工作溫度高達105°C，用于高發(fā)熱環(huán)境中。0.25W顯示器采用0.28” ~ 4”字符高度，與標準驅(qū)動器兼容。
2010-05-07
Lumex LED QuasarBrite CPS
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未來三年電子書將成為手持裝置成長冠軍
工研院IEK提出預測，全球電子書出貨量將從2010年的720萬臺增長至2013年的2200萬臺；成長率高達208%，是手持式裝置中成長幅度最高的。
2010-05-07
電子書 液晶 ICT
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針對LED照明燈具的能源之星標準發(fā)布最終版本
能源之星標準在經(jīng)過了三次草案的發(fā)布后，美國能源部（DOE）終于對LED光源燈具的能源之星標準發(fā)布了最后的確認版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 標準 LED
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針對LED照明燈具的能源之星標準發(fā)布最終版本
能源之星標準在經(jīng)過了三次草案的發(fā)布后，美國能源部（DOE）終于對LED光源燈具的能源之星標準發(fā)布了最后的確認版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 標準 LED
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針對LED照明燈具的能源之星標準發(fā)布最終版本
能源之星標準在經(jīng)過了三次草案的發(fā)布后，美國能源部（DOE）終于對LED光源燈具的能源之星標準發(fā)布了最后的確認版本，并要求于2010年8月31日生效。
2010-05-07
能源之星 標準 LED
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Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關，該器件的導通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
Vishay TrenchFET MOSFET
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Si7625DN：Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN，用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關，該器件的導通電阻是最低的還可以減小電壓降。
2010-05-07
Vishay TrenchFET MOSFET
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Li電池充電器CC-CV充電測試
由于鋰離子電池充電過程需要一小時或更長時間，利用實際負載測試鋰電池充電器將非常耗時，而且往往不切實際。為了加快電池充電器測試，本文介紹了一個簡單電路，用來模擬鋰離子電池。該電路提供了一個不使用實際電池對鋰電池充電器進行測試的有效手段。
2010-05-06
Li電池 充電測試 CC-CV充電
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