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液晶屏技術(shù)新里程：詳解IGZO顯示技術(shù)
IGZO是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料，IGZO技術(shù)具有低耗電量、高屏幕精度、高觸摸性能等優(yōu)勢(shì)，據(jù)稱(chēng)未來(lái)iPhone將采用IGZO顯示技術(shù)，那么IGZO究竟有什么樣的獨(dú)特之處呢？與市場(chǎng)上熱門(mén)的AMOLED技術(shù)相比，又有怎樣的優(yōu)勢(shì)和不足？本文都將詳細(xì)講述。
2013-05-21
IGZO 顯示屏 液晶 顯示技術(shù)
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手機(jī)和平板電腦MEMS動(dòng)作傳感器Top 4供應(yīng)商排名出爐
手機(jī)和平板電腦是目前MEMS動(dòng)作傳感器主要應(yīng)用市場(chǎng)，去年有四家供應(yīng)商的MEMS動(dòng)作傳感器出貨額超過(guò)1億美元，合計(jì)占84%的市場(chǎng)份額。意法半導(dǎo)體排名第一，其次是日本AKM，第三是博世，最后一名是InvenSense。
2013-05-16
MEMS 動(dòng)作傳感器
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手機(jī)和平板電腦MEMS動(dòng)作傳感器Top 4供應(yīng)商排名出爐
手機(jī)和平板電腦是目前MEMS動(dòng)作傳感器主要應(yīng)用市場(chǎng)，去年有四家供應(yīng)商的MEMS動(dòng)作傳感器出貨額超過(guò)1億美元，合計(jì)占84%的市場(chǎng)份額。意法半導(dǎo)體排名第一，其次是日本AKM，第三是博世，最后一名是InvenSense。
2013-05-16
MEMS 動(dòng)作傳感器
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手機(jī)和平板電腦MEMS動(dòng)作傳感器Top 4供應(yīng)商排名出爐
手機(jī)和平板電腦是目前MEMS動(dòng)作傳感器主要應(yīng)用市場(chǎng)，去年有四家供應(yīng)商的MEMS動(dòng)作傳感器出貨額超過(guò)1億美元，合計(jì)占84%的市場(chǎng)份額。意法半導(dǎo)體排名第一，其次是日本AKM，第三是博世，最后一名是InvenSense。
2013-05-16
MEMS 動(dòng)作傳感器
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今年Q2起多數(shù)半導(dǎo)體元件價(jià)格將會(huì)上升
半導(dǎo)體元件價(jià)格連續(xù)兩年放緩之后，半導(dǎo)體元件的長(zhǎng)期前景有望好轉(zhuǎn)，未來(lái)四年的復(fù)合年度增長(zhǎng)率(CAGR)預(yù)計(jì)達(dá)到5.7%。其增長(zhǎng)將來(lái)自無(wú)線市場(chǎng)的消費(fèi)支出增加，以及醫(yī)療、能源和公共基礎(chǔ)設(shè)施等領(lǐng)域?qū)τ谛庐a(chǎn)品的需求。
2013-05-16
半導(dǎo)體 市場(chǎng) 平板電腦
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電源轉(zhuǎn)換新時(shí)代的來(lái)臨：IR開(kāi)始商業(yè)裝運(yùn)GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運(yùn)可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時(shí)代的到來(lái)。相比當(dāng)今最先進(jìn)的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺(tái)能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
IR GaN 電源轉(zhuǎn)換
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計(jì)
通過(guò)結(jié)合改進(jìn)的電源電路拓?fù)浜透拍钆c改進(jìn)的低損耗功率器件，開(kāi)關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無(wú)需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能...
2013-05-14
MOSFET 高能效 電源
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可滿足新一代平板電腦充電器需求的15A超級(jí)勢(shì)壘整流器
近日，Diodes公司新推出一款額定電流值15A的超級(jí)勢(shì)壘整流器SBR15U50SP5，該整流器采用PowerDI-5封裝，使充電器的設(shè)計(jì)更細(xì)小纖薄。十分適用于新一代智能手機(jī)及平板電腦充電器。
2013-05-14
整流器 充電器 平板電腦
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ST、英飛凌齊推超結(jié)MOSFET 皆青睞TO247-4封裝技術(shù)
近日，意法半導(dǎo)體（ST）推出首款MDmesh V超結(jié)MOSFET晶體管，擴(kuò)大其高能效功率產(chǎn)品陣容。該產(chǎn)品采用了創(chuàng)新的4針?lè)庋b，增加專(zhuān)用控制輸入。新封裝技術(shù)可提高白色家電、電視、個(gè)人電腦、電信設(shè)備和服務(wù)器開(kāi)關(guān)電源等設(shè)備的功率電路能效。
2013-05-11
MOSFET TO247-4封裝 超結(jié)器件 STW57N65M5-4
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