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TE Connectivity開發(fā)出符合不同客戶需求的天線系列用于無線產(chǎn)品
TE Connectivity(TE)已推出可根據(jù)不同客戶需求進(jìn)行定制的標(biāo)準(zhǔn)天線系列。
2011-03-16
TE Connectivity 天線 電子元件
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2015全球手機(jī)半導(dǎo)體市場達(dá)820億美元
2010年全球手機(jī)用半導(dǎo)體市場已達(dá)550億美元,而未來5年,智慧手機(jī)(smartphone)將扮演推動該市場的最關(guān)鍵角色。目前全球生產(chǎn)手機(jī)半導(dǎo)體元件的廠商超過60家,范圍涵蓋處理器、周邊到類比供應(yīng)商。
2011-03-16
手機(jī) 便攜產(chǎn)品 半導(dǎo)體
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日本震后彩電元部件貨源吃緊
受日本地震影響,日本家電業(yè)受到嚴(yán)重沖擊,記者昨天了解到,地震發(fā)生后索尼、東芝、松下、三洋等多家知名日本電子企業(yè)先后關(guān)閉了相應(yīng)工廠,部分彩電元部件貨源吃緊。受此影響,日系彩電產(chǎn)品未來或面臨漲價(jià)。
2011-03-16
家電 彩電 日本 地震
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于手持電子設(shè)備
SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形;SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件
2011-03-16
SiA444DJT SiA429DJT Vishay MOSFET 手持電子
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Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于手持電子設(shè)備
SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內(nèi)具有N溝道MOSFET當(dāng)中最低的外形;SiA429DJT是具有最低導(dǎo)通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件
2011-03-16
SiA444DJT SiA429DJT Vishay MOSFET 手持電子
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一種多功能開關(guān)電源設(shè)計(jì)
隨著電源技術(shù)的飛速發(fā)展,開關(guān)電源以其功耗小、體積小等優(yōu)點(diǎn)得到廣泛應(yīng)用,本文介紹一種性價(jià)比高、功能豐富的程控開關(guān)電源設(shè)計(jì)。對基于LM2576控制核心的升、降壓電路設(shè)計(jì)、切換及恒流輸出電路進(jìn)行了詳細(xì)介紹。性能測試結(jié)果驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的有效性及實(shí)用性...
2011-03-16
開關(guān)電源 開關(guān)電源設(shè)計(jì) 多功能開關(guān)電源設(shè)計(jì)
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揚(yáng)聲器參數(shù)指標(biāo)
3dB和-6dB這兩個(gè)術(shù)語被經(jīng)常用于描述揚(yáng)聲器系統(tǒng)的頻率響應(yīng)。使用者面對這兩個(gè)參數(shù)出現(xiàn)混淆并錯(cuò)誤的認(rèn)為-6dB比+/-3dB的指標(biāo)更加嚴(yán)格。本文將解釋兩個(gè)指標(biāo)的意義,因?yàn)樗鼈兌际乾F(xiàn)今在專業(yè)音頻行業(yè)內(nèi)被經(jīng)常使用(或誤用),作為揚(yáng)聲器間參數(shù)對比的重要依據(jù)。
2011-03-16
揚(yáng)聲器
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音頻編解碼器技術(shù)解剖
盡管語音編解碼器技術(shù)的發(fā)展一定程度上處于靜止?fàn)顟B(tài),但音頻編解碼器技術(shù)一直在向前演進(jìn)(參見圖1)。例如,朝更多的環(huán)繞聲通道發(fā)展就是一個(gè)趨勢。
2011-03-16
音頻 編解碼器 修正
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電子接插件塑料材料的選用
電子接插件是電子產(chǎn)品中各組成部分之間的電氣活動連接元件(固定連接件為接頭或焊點(diǎn),另一種活動連接元件為開關(guān)),廣泛用于電子設(shè)備中。如用于各分機(jī)間、分機(jī)與電聲器材間的電氣連接;用于電子管、氦氣管等與其他電子元件間的電氣連接;用于天線、高頻電纜和儀器之間的電氣連接。電子接插件的優(yōu)點(diǎn)...
2011-03-15
電子接插件 電子接插件塑料材料 電子接插材料選用
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