中心論題：

• 光電二極管
• 典型設(shè)計(jì)

解決方案：

• 采用運(yùn)放的電路，用于分析控制環(huán)路
• 調(diào)節(jié)流經(jīng)LED的電流

光電二極管
硅光電二極管的結(jié)構(gòu)除P層非常薄外其他與PN結(jié)二極管類似。調(diào)節(jié)P層厚度適合于所檢測(cè)的光波長(zhǎng)。光電二極管也具有電容，電容與所加反向偏置電壓成正比，其電型值為2~20pF。光電二極管有兩個(gè)端：陽(yáng)極和陰極。二極管可用在正向模式(電流從陽(yáng)極流向陰極)或反向模式(電流從陰極流向陽(yáng)極)。當(dāng)所用光電二極管處于反向模式(陽(yáng)極負(fù))時(shí)，它與給定頻率的光照是嚴(yán)格線性關(guān)系，這是有利的特性。線性特性使得建造控制電路變得相當(dāng)容易。
　　
典型設(shè)計(jì)
圖2示出采用運(yùn)放的電路，用于分析控制環(huán)路。此電路驅(qū)動(dòng)1個(gè)PNP晶體管，此晶體管為產(chǎn)生光發(fā)射的LED提供電流。光發(fā)射照射到光電二極管，光電二極管把光發(fā)射轉(zhuǎn)換為非常小的電流(通常為10mA)。在這種情況下，二極管用在反向模式，所以在無(wú)光呈現(xiàn)時(shí)，電流為零，但是光電二極管和放大器中的漏電流(也稱之為“暗電流”)是過(guò)載。此條件牽引由晶體管基極電阻所限制的電流，開(kāi)始時(shí)晶體管處于飽和狀態(tài)。一旦電流開(kāi)始流經(jīng)晶體管，則LED或激光二極管將開(kāi)始發(fā)射光。光電二極管把此部分光轉(zhuǎn)換為電流，流經(jīng)RG。隨著電壓趨于VBIAS(在圖2中為地)，環(huán)路將閉合并保持驅(qū)動(dòng)晶體管的電流來(lái)維持LED中的電流以保持恒定光強(qiáng)度(或光電二極管中的電流)。此構(gòu)成電路DC分析的基礎(chǔ)。圖3為用NS公司LMV2011精密運(yùn)放實(shí)際實(shí)現(xiàn)電路。用NS的LM4041-1.2并聯(lián)基準(zhǔn)產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓，提供固定的1.225V基準(zhǔn)電壓。設(shè)置基準(zhǔn)中的電流在10mA左右，這是工作電流的中間值。由兩個(gè)1%精度電阻器產(chǎn)生VBIAS，其值設(shè)置在1V左右。為了計(jì)算閉合控制環(huán)路中的光電二極管電流，VREF和VBIAS之差除RG。注意，為了此電路工作，VBIAS必須小于VREF。對(duì)于10mA光電二極管電流，RG為0.2×10E-6或 20.0KΩ。4.7KΩ電阻器限制PN200A PNP晶體管基極電流，設(shè)置在1mA左右。晶體管b值為100左右，所以晶體管可提供的最大電流為100mA左右，這超過(guò)了微型SOT-23封裝的熱耗。為了避免晶體管的熱擊穿，用與LED或激光二極管串聯(lián)的電阻器限制晶體管集電極電流。若需要更大電流，則具有較大集電極電流的晶體管應(yīng)該用較大的封裝(如SOT-223)。為限制電路帶寬以保持穩(wěn)定性，用與光電二極管并聯(lián)的15pF電容器使放大器滾降頻率在250KHz左右。

 
結(jié)語(yǔ)
用1個(gè)簡(jiǎn)單的運(yùn)放電路可以相當(dāng)容易地產(chǎn)生不同應(yīng)用所需的精確光強(qiáng)度。如本文所述，甚至隨著光發(fā)射器的老化，通過(guò)調(diào)節(jié)流經(jīng)LED的電流，其控制環(huán)路仍將保持恒定電平。