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通信廣電

電子熔絲在電腦中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

無(wú)論器件什么時(shí)候連接至帶多個(gè)負(fù)載的電源，都需要當(dāng)本地保護(hù)電路。這種需要是雙重的，既需要在發(fā)生電壓瞬態(tài)事件時(shí)保護(hù)這些器件免受電源影響，也需要在發(fā)生過(guò)載條件時(shí)保護(hù)電源免受這些器件影響。本文介紹幾種不同的熔絲選擇，并詳細(xì)解釋電子熔絲(eFuse)的工作。

2009-08-05

電子熔絲鉗位保護(hù) 過(guò)熱保護(hù) 電流感測(cè)

印度斥資190億美元推動(dòng)國(guó)家太陽(yáng)能任務(wù)　

印度最快于9月公布該國(guó)第1個(gè)「國(guó)家太陽(yáng)能任務(wù)」(National Solar Mission)，預(yù)計(jì)將投入190億美元，將該國(guó)目前接近于零的太陽(yáng)能發(fā)電量，于2020年提升至20億瓦(GWp)。

2009-08-04

太陽(yáng)能印度國(guó)家

我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)與風(fēng)險(xiǎn)并存

新能源將逐步取代傳統(tǒng)能源成為推動(dòng)社會(huì)經(jīng)濟(jì)進(jìn)步的驅(qū)動(dòng)器，而新能源往往又是伴隨著新技術(shù)的誕生和進(jìn)步應(yīng)運(yùn)而生的，LED產(chǎn)業(yè)就是新能源的一個(gè)典型的孵化器。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，目前我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)和風(fēng)險(xiǎn)并存，銀行應(yīng)扶持我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

2009-08-04

LED LED產(chǎn)業(yè) 風(fēng)險(xiǎn)與優(yōu)勢(shì) 銀行扶持

連接器市場(chǎng)全球低迷中國(guó)3G上馬死里逃生

從1980年到2008年間，連接器市場(chǎng)經(jīng)歷了3次負(fù)增長(zhǎng)，每一次都和電子產(chǎn)業(yè)的震蕩同步發(fā)生?？梢哉f(shuō)，連接器市場(chǎng)與電子產(chǎn)業(yè)息息相關(guān)，其銷售額間接地反映了電子產(chǎn)業(yè)的起起落落

2009-08-04

3G 連接器市場(chǎng) 全球

美新能耗標(biāo)準(zhǔn)成為推動(dòng)LED背光產(chǎn)業(yè)發(fā)展的加速器

據(jù)iSuppli公司，美國(guó)國(guó)家環(huán)境保護(hù)局(EPA)新頒布的指導(dǎo)原則要求部分電視的能耗在2013年以前最多降低三分之二，促使液晶電視供應(yīng)鏈對(duì)其產(chǎn)品與元件進(jìn)行一系列改動(dòng)。

2009-08-04

LED背光 LCD TV 電視行業(yè) 市場(chǎng)分析

銅箔8月價(jià)格有調(diào)漲空間

國(guó)際銅價(jià)突破5,500美元，創(chuàng)近八個(gè)月新高，增強(qiáng)銅箔價(jià)格調(diào)漲動(dòng)力，繼銅箔7月調(diào)漲2.5%之后，8月有調(diào)漲空間。

2009-08-04

銅銅箔 CCL 銅箔基板電子材料

新能源規(guī)定迫使液晶電視設(shè)計(jì)變革

據(jù)iSuppli 公司，美國(guó)國(guó)家環(huán)境保護(hù)局(EPA)新頒布的指導(dǎo)原則要求部分電視的能耗在2013 年以前最多降低三分之二，促使液晶電視供應(yīng)鏈對(duì)其產(chǎn)品與元件進(jìn)行一系列改動(dòng)。

2009-08-03

液晶電視新能源

探中國(guó)三四級(jí)消費(fèi)市場(chǎng)的商機(jī)

位于金字塔尖的富裕階層和金字塔中間的中產(chǎn)階層市場(chǎng)正在被越來(lái)越多的企業(yè)和商家挖掘，競(jìng)爭(zhēng)變得越來(lái)越激烈

2009-08-03

電子市場(chǎng) 消費(fèi)與競(jìng)爭(zhēng)

Vishay推出三款采用不同封裝的的500V功率MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新型500V電壓的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，將該公司的6.2代N溝道平面FET技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封裝上。

2009-08-03

SiHP18N50C SiHF18N50C SiHG20N50C MOSFET 分立器件 Vishay

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