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雙保險(xiǎn)為大電流板級(jí)電路提供有效保護(hù)
對(duì)很多電路來說，選擇一款有適當(dāng)額定電流和工作電壓的保險(xiǎn)通常是一個(gè)很簡(jiǎn)單明了的工作。但某些情況下，找不到一種有適當(dāng)額定電流和電壓組合的保險(xiǎn)，于是電路設(shè)計(jì)者必須求助于某種創(chuàng)新設(shè)計(jì)，以提供所需的保護(hù)。本文主要是介紹使用雙保險(xiǎn)來為較高等級(jí)電流提供保護(hù)的常見解決方案。
2008-10-25
電路保護(hù) 雙保險(xiǎn) 大電流
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背光源(Backlight)的起源發(fā)展及分類
背光源是位于液晶顯示器背后的光源，它的發(fā)光效果會(huì)直接影響液晶顯示器的視覺效果?，F(xiàn)在常用的背光源是小型冷陰極熒光燈(CCFL)，市場(chǎng)潛力巨大，廠商競(jìng)爭(zhēng)激烈。由于LED技術(shù)的突破性進(jìn)展以及CCFL在環(huán)保認(rèn)證上不能達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)，大力度研發(fā)LED為光源的背光系統(tǒng)成為背光源市場(chǎng)的新方向。
2008-10-25
背光源 LED背光源 CCFL 導(dǎo)光板 背光模組
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我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)進(jìn)出口仍將穩(wěn)步發(fā)展
在日前舉辦的“2008中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)高峰論壇”上，商務(wù)部部長(zhǎng)助理崇泉表示，目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)從高速增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橹兴僭鲩L(zhǎng)，增速趨于平穩(wěn)，但是中國(guó)作為世界電子信息產(chǎn)品制造中心的地位不會(huì)改變。目前，我國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)形成了全方位、多層次的開放格局。隨著經(jīng)濟(jì)全球化的深入發(fā)展，我國(guó)電子信息...
2008-10-24
電子信息產(chǎn)業(yè)
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電子產(chǎn)品的靜電放電保護(hù)（一）
本文第一部分介紹了電子行業(yè)的四個(gè)長(zhǎng)期技術(shù)和應(yīng)用趨勢(shì)以及靜電放電(ESD)保護(hù)對(duì)耐用電子設(shè)計(jì)的重要性，舉例說明了ESD閃擊可能引發(fā)的故障機(jī)制，以及一些定義測(cè)試儀器和測(cè)試協(xié)議的常見標(biāo)準(zhǔn)，最后介紹了分流型保護(hù)器件的關(guān)鍵參數(shù)；第二部分介紹最常見的分流時(shí)間瞬態(tài)抑制器，并探討如何為其中廣泛應(yīng)用的...
2008-10-24
ESD 耐用電子設(shè)計(jì) 故障機(jī)制 分流型保護(hù)器件 分流時(shí)間瞬態(tài)抑制器
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功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算
本文主要探討電子設(shè)備熱失效的問題，通過對(duì)功率器件發(fā)熱原理的分析和散熱的計(jì)算，得出散熱方式的設(shè)計(jì)和散熱器的選擇。
2008-10-24
熱設(shè)計(jì) 功率器件 散熱計(jì)算
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軟性印刷電路板將走向良性發(fā)展
軟性印刷電路板 (FPC)產(chǎn)業(yè)2005、2006年大幅擴(kuò)產(chǎn)，導(dǎo)致削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)嚴(yán)重，經(jīng)過近兩年的調(diào)整加上受上半年整體景氣衰退影響，中國(guó)大陸不少小型軟板廠陸續(xù)倒閉，歐美及日系廠商降低軟板比重，整體產(chǎn)業(yè)供給進(jìn)入穩(wěn)定狀況。
2008-10-23
軟性印刷電路板 FPC
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江西首個(gè)多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在樟樹正式投產(chǎn)
10月23日，引進(jìn)世界領(lǐng)先技術(shù)、一期總投資達(dá)5000萬美元，年產(chǎn)多晶硅500噸、三氯氫硅1.6萬噸的江西通能硅材料有限公司多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目在江西樟樹正式投產(chǎn)，這是江西省首個(gè)投產(chǎn)的多晶硅生產(chǎn)項(xiàng)目。
2008-10-23
多晶硅 三氯氫硅
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高分子PTC熱敏電阻工作原理介紹
本文主要介紹高分子PTC熱敏電阻的工作原理及其環(huán)境影響因素。首先分析了高分子PTC熱敏電阻用于過流保護(hù)的工作原理，其次分析了環(huán)境溫度對(duì)高分子PTC熱敏電阻的影響，最后介紹了高分子PTC熱敏電阻動(dòng)作后的恢復(fù)特性。
2008-10-23
高分子PTC熱敏電阻 過流保護(hù) 環(huán)境影響
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SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET
日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴(kuò)展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對(duì)于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導(dǎo)通電阻以及導(dǎo)通電阻與柵極電荷之乘積。
2008-10-23
SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET
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