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SiT530x:SiTime推出Stratum 3解決方案用于高精密恒溫晶振時鐘

發(fā)布時間:2011-11-21 來源:SiTime Corporation

產品特性:

  • 業(yè)界最小尺寸的±100 PPB解決方案
  • 兼具Stratum 3穩(wěn)定性、小尺寸、低電壓運行和可編程特性
  • 高精度、支持最寬的頻率范圍(1至220 MHz)

應用范圍:

  • 電信和網絡基礎設施


模擬半導體公司SiTime Corporation近日推出SiT530x系列全硅MEMS三級時鐘(Stratum 3)解決方案,以替代傳統(tǒng)的恒溫晶振和溫補晶振產品。SiT5301和SiT5302定位于電信和網絡基礎設施,如基于同步光纖網(SONET)和同步以太網的核心及邊緣路由器、無線基站、IP時鐘和智能電網等應用。SiT530x系列是市場中唯一兼具三級鐘(Stratum 3)穩(wěn)定性、小尺寸、低電壓運行和可編程特性的產品,支持客戶方便快捷地實現(xiàn)產品的差異化和定制。

SiTime首席執(zhí)行官Rajesh Vashist表示:“SiTime的革命性技術能夠集成全硅MEMS和模擬集成電路,從而實現(xiàn)創(chuàng)新解決方案。石英行業(yè)用了幾十年時間才實現(xiàn)該精密度,而SiTime僅用了5年時間便突破了這一性能水平。先進的半導體技術使我們能夠為產品添加獨特的特性,從而為客戶帶來更多價值。憑借Stratum 3時鐘等顛覆性創(chuàng)新產品以及我們近日發(fā)布的差分振蕩器產品和壓控硅振蕩器產品,SiTime正在加速全硅MEMS時鐘產品的應用。SiTime正在進軍規(guī)模達10億美元的振蕩器市場。通過將高性能、低成本和易用性完美結合,我們已成功使500多家客戶放棄了傳統(tǒng)的石英產品,轉而采用我們的產品。”

Yole Développement首席執(zhí)行官和創(chuàng)始人Jean-Christophe Eloy,表示:“MEMS時鐘替代傳統(tǒng)恒溫晶振和溫補晶振產品代表著了一個新的里程碑,因為這在幾年前還被認為是無法通過MEMS時鐘技術實現(xiàn)的。SiTime現(xiàn)已躋身領先時鐘提供商行列,旨在為高性能應用提供服務。相對于石英產品,我認為我們可以有把握的說SiTime的產品具有更多特性、更強性能和更高價值,并且正在推動全硅MEMS時鐘解決方案在電子行業(yè)中的應用。”

“SiTime推出了最新一代SiT530x三級鐘,并在持續(xù)不斷的刷新著產品性能,功能和可靠性方面的新基準。” 艾睿電子全球市場和Asset Management高級副總裁Jeff Eastman指出:“SiTime可編程架構可保證艾睿隨時有現(xiàn)貨。我們許多客戶都以在收益于SiTime全硅方案的優(yōu)點。艾睿遍布全球的銷售渠道和SiTime獨一無有的技術,可使我們更有力更快速在電子市場中全面的推廣SiTime具有創(chuàng)新性的時鐘產品。”

SiT530x系列包括兩款器件—運行頻率范圍為1至60 MHz的SiT5301和運行頻率范圍為60至220 MHz的SiT5302。這兩款器件均具有以下特性和優(yōu)勢:

• 符合或超越面向最苛刻時鐘應用的Telcordia GR-1244 Stratum 3頻率穩(wěn)定度規(guī)范:
o 在商業(yè)工作溫度(0至70°C)下的頻率穩(wěn)定度為±0.1 PPM
o 24小時內保持頻率穩(wěn)定度小于±0.37 PPM
o 20年內頻率穩(wěn)定度為±4.6 PPM

• 采用2520兼容封裝,業(yè)界最小尺寸的±100 PPB解決方案。相對于任何其它Stratum 3溫補晶振和恒溫晶振,尺寸分別減少60%和90%。該系列還支持3225、5032和7050封裝。

• 支持最寬的頻率范圍(1至220 MHz),精度達小數(shù)點后6位。設計師使用SiTime的定制頻率功能,擺脫了石英產品標準頻率的限制,可來設計具有更高性能和可靠性的系統(tǒng)。

• 不同于石英產品,SiT530x振蕩器沒有激發(fā)性跳變(Activity Dips),因此可實現(xiàn)更加穩(wěn)定的基準時鐘和卓越的系統(tǒng)溫度性能。

• 介于2.5V和3.3V之間的運行電壓支持所有電信和網絡SOC(片上系統(tǒng))、ASIC(專用集成電路)和FPGA(現(xiàn)場可編程門陣列),并可消除電平轉換。

• 僅500飛秒的標準集成式RMS相位抖動(12 kHZ至20 MHz),可滿足電信和網絡等應用的苛刻要求。

• SoftEdgeTM可配置式上升/下降時間控件可改進走線阻抗匹配并減少電磁干擾。

• 可用的電壓控制特性支持高達±12.5 PPM的牽引范圍,支持隨時間進行系統(tǒng)內校準和微調。

• 卓越的硅可靠性:MTBF(平均無故障時間)達5億小時(比石英高10倍)

• 通過50000G抗沖擊及70G抗振測試(比石英強10倍)

SiT530x樣片將與2011年12月向合格客戶提供,計劃于2012年上半年開始量產。按需定價。

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