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EPCOS推出消費和工業(yè)電子應用表貼鋁電解電容器
愛普科斯(EPCOS) 推出新型表貼鋁電解電容器，其電容量范圍介于0.1μF至1500μF，適用于4V DC至100 V DC的電壓。此新型電容器適用于消費和工業(yè)電子領域，是鉭電容器的價格合適的替代品。
2008-08-01
鋁電解電容器
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MAX4800A/MAX4802A：Maxim 8通道超聲應用高速開關
Maxim推出通過高速、20MHz串行接口控制的8通道、高壓、低電荷注入SPST開關MAX4800A/MAX4802A。器件采用Maxim專有的BCDMOS工藝，集高壓、雙向DMOS開關及低功耗CMOS邏輯特性于一體，從而實現通過低壓控制信號對高壓模擬信號的有效控制。
2008-07-30
MAX4800A MAX4802A 高速開關
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STV250N55F3：意法半導體新250A功率MOSFET
意法半導體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款250A表面貼裝的功率MOSFET晶體管，新產品擁有市場上最低的導通電阻，可以把功率轉換損耗降至最低，并提高系統(tǒng)性能。
2008-07-16
MOSFET STV250N55F3
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30CTT045/60CPT045：Vishay第5 代高性能45V肖特基二極管
Vishay宣布推出最大結溫高達 +175°C 的首款新型第五代（Gen. 5.0）高性能 45V 肖特基二極管。30CTT045 與60CPT045器件基于亞微米溝槽技術，可提供超低的正向壓降以及低反向漏電流，從而可使設計人員提高汽車及其他高溫應用中的功率密度。
2008-07-11
30CTT045 60CPT045 肖特基二極管 diode
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150 CRZ系列：Vishay新高性能SMD 鋁電解電容器
Vishay宣布已擴展其150 CRZ系列表面貼裝鋁電容器的功能，使該系列器件能夠提供低阻抗值、高電容與紋波電流，以及可實現高振動功能的 4 針腳版本。
2008-07-09
150 CRZ SMD 鋁電解電容器
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CSM2512S：Vishay新型表面貼裝Power Metal Strip電阻
Vishay宣布推出一款新型高精度Bulk Metal表面貼裝Power Metal Strip電阻，該電阻可在額定功率及+70oC的條件下保持長達2,000小時的±0.05%負載壽命穩(wěn)定性， 在–55oC至+125oC及25oC參考溫度條件下實現±15 PPM/oC的絕對TCR ，以及具有 ±0.1%的容差。
2008-06-27
CSM2512S Bulk Metal Power Metal Strip電阻
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STCL1120系列:意法半導體低功耗硅振蕩器
意法半導體推出STCL1120系列硅振蕩器，新產品啟動快速，抗振動、沖擊和抗電磁干擾（EMI）能力強，電流消耗低，片選控制功能使電源管理比其它品牌的硅振蕩器更加容易，能效更高。
2008-06-24
STCL1120 硅振蕩器 控制設備
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B84143D*R127系列：EPCOS長引出線應用EMC濾波器
愛普科斯闊展了它的3路EMC濾波器系列, 增加了變頻器用高性能系列產品。其出色的衰減性能尤其對長電動機引出線有決定性的優(yōu)勢。
2008-06-19
B84143D*R127 SineFormer濾波器 EMC濾波器
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Si8445DB：Vishay新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay推出新型 20V p 通道TrenchFET功率MOSFET，該器件采用MICRO FOOT芯片級封裝，具有很小占位面積以及 1.2 V 時超低的導通電阻。
2008-06-18
Si8445DB 功率MOSFET
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