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基于超級(jí)電容-鉛酸蓄電池混合儲(chǔ)能的太陽能充電器
文中設(shè)計(jì)了基于超級(jí)電容-鉛酸蓄電池混合儲(chǔ)能的太陽能充電器， 采用UC3909 智能管理芯片實(shí)現(xiàn)對(duì)鉛酸蓄電池具有溫度補(bǔ)償功能的的四階段充電管理； 并利用超級(jí)電容器組及升降壓轉(zhuǎn)換電路實(shí)現(xiàn)弱光充電功能， 優(yōu)化鉛酸蓄電池充放電過程， 提高系統(tǒng)效率及穩(wěn)定性。
2011-10-20
鉛酸蓄電池 太陽能 超級(jí)電容 充電器
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開關(guān)電源中功率晶體管的二次擊穿及防護(hù)
本文分析了晶體管二次擊穿的現(xiàn)象和產(chǎn)生原因， 并結(jié)合開關(guān)電源的設(shè)計(jì)及生產(chǎn)實(shí)際， 介紹了緩沖回路的應(yīng)用及其它有關(guān)晶體管防護(hù)措施。
2011-10-20
開關(guān)電源 晶體管 二次擊穿 功率晶體管
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天津推出新型動(dòng)力電源 充電10分鐘，可行200公里
天津市將致力于推動(dòng)“高能鎳碳超級(jí)電容器”產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)：一期投資10億元，建成1000萬只30億安時(shí)產(chǎn)能，預(yù)計(jì)產(chǎn)值200億元；二期建成1億只300億安時(shí)產(chǎn)能。
2011-10-20
電源 汽車電子 靜態(tài)電流 穩(wěn)壓器
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第二講：詳解智能電表的主流計(jì)量芯片方案
在智能電網(wǎng)的諸多應(yīng)用中，智能電表應(yīng)用已率先落地。根據(jù)國家電網(wǎng)公司電網(wǎng)智能化建設(shè)規(guī)劃，在國家電網(wǎng)公司“計(jì)量、抄表和收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)化建設(shè)研究”項(xiàng)目成果的基礎(chǔ)上，全國的大多數(shù)電表企業(yè)均設(shè)計(jì)研發(fā)了符合新一代智能電網(wǎng)要求的電度表。
2011-10-19
智能電表 BL6523A 計(jì)量芯片 MCU
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峰值電流控制的非隔離負(fù)電壓DC/DC開關(guān)電源設(shè)計(jì)
針對(duì)現(xiàn)有非隔離負(fù)電壓DC/DC開關(guān)電源在帶負(fù)載能力以及輸出紋波上的不足，本文提出了一種基于峰值電流控制的新型非隔離負(fù)電壓DC/DC開關(guān)電源設(shè)計(jì)方案，使現(xiàn)在連續(xù)電流模式（CCM）下輸出電容能始終通過輸出電感得到充電。進(jìn)而有效抑制輸出紋波的影響，確保了負(fù)電源的高效率工作和帶負(fù)載能力。
2011-10-19
開關(guān)電源 DC/DC 峰值電流
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太陽能LED照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)關(guān)鍵事項(xiàng)
在能源日益短缺的今天，自然能的利用成了人們關(guān)注的焦點(diǎn)，在各種自然能中，無窮無盡的太陽能以其無處不在的優(yōu)勢(shì)倍受青睞。
2011-10-19
太陽能 LED 照明 電池板
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優(yōu)化測(cè)試系統(tǒng)中的矩陣開關(guān)使用方法
隨著測(cè)試系統(tǒng)中接入點(diǎn)越來越復(fù)雜，在測(cè)試系統(tǒng)中如何對(duì)測(cè)試點(diǎn)進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐帕幸越档蜏y(cè)試系統(tǒng)中的開關(guān)成本。本文即介紹了在測(cè)試系統(tǒng)中如何使用矩陣開關(guān)才能達(dá)到最佳的成本效益。
2011-10-19
開關(guān) 電源測(cè)試 電壓 額定負(fù)載
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IR新推600V車用IGBT系列
IR新推600V車用IGBT系列國際整流器公司近日新推出600V車用IGBT系列，專門針對(duì)電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的變速電機(jī)控制和電源應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2011-10-19
IGBT 電力電子 IR 晶體三極管
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R5050DNZ0C9：羅姆推出34ｍΩ低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部：日本京都市）面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
2011-10-19
羅姆株式會(huì)社 半導(dǎo)體 電阻 MOSFET
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