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電源管理

基于同步整流技術(shù)的反激變換器

本文詳細(xì)分析了同步整流反激變換器的工作原理和該驅(qū)動(dòng)電路的工作原理，并在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)了100V~375VDC 輸入，12V/4A 輸出的同步整流反激變換器，工作于電流斷續(xù)模式，控制芯片選用UC3842，對設(shè)計(jì)過程進(jìn)行了詳細(xì)論述。

2011-08-30

同步整流反激變換器開關(guān)電源電源

探究變頻器的電磁兼容與電磁干擾抑制問題

隨著國際標(biāo)準(zhǔn)的強(qiáng)制執(zhí)行，再加上科研過程中不斷出現(xiàn)新的電磁干擾問題，使得變頻器的電磁兼容問題成為亟待解決的問題。本文從分析pwm變頻器傳導(dǎo)干擾機(jī)理入手，總結(jié)了目前傳導(dǎo)干擾的抑制措施，具有參考意義。總的來說，變頻器的電磁兼容設(shè)計(jì)還處于初期階段，還需要我們付出長期不懈的努力。相信在未來...

2011-08-30

變頻器電磁兼容電磁干擾 EMC EMI PWM

屋頂光伏發(fā)電“十二五”擬增九倍

據(jù)權(quán)威人士透露，根據(jù)正在擬定的《可再生能源發(fā)展“十二五”規(guī)劃》，光伏發(fā)電裝機(jī)目標(biāo)被確定為到2015年達(dá)1000萬千瓦，到2020年達(dá)5000萬千瓦。值得注意的是，到2015年，屋頂光伏電站規(guī)模為300萬千瓦，到2020年則達(dá)2500萬千瓦。截至2010年，屋頂光伏電站的裝機(jī)規(guī)模約30萬千瓦。

2011-08-30

屋頂光伏光伏太陽能

利用示波器有效輔助開關(guān)電源設(shè)計(jì)Q/A

本文通過問答的形式，介紹如何利用示波器有效輔助開關(guān)電源的設(shè)計(jì)。

2011-08-29

示波器開關(guān)電源紋波電磁干擾 EMI

單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡化驅(qū)動(dòng)電路

為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵...

2011-08-29

柵驅(qū)動(dòng) IGBT 驅(qū)動(dòng)電路

太陽能電池模塊2011年銷售額將與上年持平

據(jù)美國IHS iSuppli預(yù)測，全球2011年的太陽能電池模塊銷售額將與2010年的346億美元持平。雖然太陽能電池系統(tǒng)的設(shè)置量本身增加，但是受模塊價(jià)格在2011年上半年暴跌的影響，銷售額增長乏力。

2011-08-29

太陽能太陽能電池太陽能電池系統(tǒng) 太陽能電池模塊

ASSP XOTM系列：Pericom推出特定應(yīng)用電壓控制的晶體振蕩器

全球領(lǐng)先的高速連接、時(shí)鐘和信號調(diào)節(jié)芯片及晶振解決方案供應(yīng)商百利通半導(dǎo)體公司（Pericom，納斯達(dá)克股票市場代碼：PSEM）日前宣布：擴(kuò)展其特定應(yīng)用晶體振蕩器（ASSP XOTM）系列，推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器（VCXO）產(chǎn)品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎(chǔ)設(shè)施、寬帶接入和以太網(wǎng)市...

2011-08-29

Pericom 晶體 ASSP VCXO

同步整流以及電荷保持驅(qū)動(dòng)技術(shù)

目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達(dá)到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET 進(jìn)行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。

2011-08-29

整流電荷變壓器開關(guān)管

PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖

在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個(gè)電壓。

2011-08-26

PMOS開關(guān)管開關(guān)管 MOSFET 二極管

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