【導(dǎo)讀】村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機的小型RF收發(fā)模塊,封裝面積減小4成,其采用該公司的元件內(nèi)置技術(shù),使用樹脂基板而非陶瓷基板實現(xiàn)了模塊,該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等,RF電路部分的定位是“全模塊”。
村田制作所試制出支持LTE的RF模塊,新型模塊的投產(chǎn)時間未定,村田制作所表示,“此次制作試制品的目的是為了表明技術(shù)上完全可行”。 此次開發(fā)的RF模塊中,RF收發(fā)器IC采用了富士通半導(dǎo)體生產(chǎn)的支持LTE的產(chǎn)品“MB86L10E”。為了支持LTE和W-CDMA使用的頻帶Band1/5/21和GSM使用的850MHz/900MHz/1800MHz/1900MHz,嵌入了支持各頻帶的功率放大器模塊。雖然嵌入了上述各部件,但模塊的外形尺寸僅有14.5mm×10.3mm×3.0mm,比不采用元件內(nèi)置技術(shù)時的封裝面積減小了40%左右。雖然厚度還高達3mm,不過村田制作所表示“通過結(jié)合使用其他封裝技術(shù),還有可能進一步減薄”。
村田制作所在展區(qū)內(nèi)演示了該模塊的實際工作情況,并公布了波形等。在LTE模式下,發(fā)送功率為23dBm時,ACLR(相鄰頻道泄露比)平均為-37dB。
圖1:試制的RF“全模塊”
圖2:展板介紹
圖3:會場展位上展示了用測量儀器觀測到的波形