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對于IGBT系統(tǒng)的電路保護新型與傳統(tǒng)型的較量
IGBT作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域。為使我們設(shè)計的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護顯得尤為重要。那么新型保護電路與傳統(tǒng)的保護電路又有那些根本上的不同呢？
2014-03-26
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可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的工作原理
可調(diào)直流穩(wěn)壓電源是采用當(dāng)前國際先進的高頻調(diào)制技術(shù)，其工作原理是將開關(guān)電源的電壓和電流展寬，實現(xiàn)了電壓和電流的大范圍調(diào)節(jié)，同時擴大了目前直流電源供應(yīng)器的應(yīng)用。直流穩(wěn)壓電源[1]的控制芯片是采用目前比較成熟的進口元件，功率部件采用現(xiàn)國際上最新研制的大功率器件，可調(diào)直流穩(wěn)壓電源設(shè)計方案省去了傳統(tǒng)直流電源因工頻變壓器而體積笨重。與傳統(tǒng)電源相比高頻直流電源就較具有體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點，同時也為大功率直流電源減小體積創(chuàng)造了條件，此電源又稱高頻可調(diào)式開關(guān)電源。可調(diào)直流穩(wěn)壓電源保護功能齊全，過壓、過流點可連續(xù)設(shè)置并可預(yù)視，輸出電壓可通過觸控開關(guān)控制。今天我就對其說一下可調(diào)直流穩(wěn)壓電源的工作原理，希望大家都能好好的瀏覽以下的內(nèi)容。
2013-12-19
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線性LED驅(qū)動IC對比：盤點幾款大功率LED線性驅(qū)動
如果你認為線性功率IC功耗太大，不好用，技術(shù)落后，那么你就錯了！本文將幾款I(lǐng)C與高速轉(zhuǎn)換型DC-DC類型IC進行對比分析，講解線性功率器件IC設(shè)計的一些注意要點，并盤點了幾款線性恒流IC以方便大家選型。
2013-11-20
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隔離驅(qū)動IGBT功率器件設(shè)計技巧八大問
IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等功率器件，都需要有充分的保護以避免欠壓、米勒效應(yīng)、缺失飽和、過載、短路造成的損害。本文通過Avago參與的八大問答討論隔離驅(qū)動IGBT等功率器件的技巧。
2013-08-13
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富士通推出耐壓150V的GaN功率器件產(chǎn)品，品質(zhì)因數(shù)降半
富士通半導(dǎo)體日前宣布，推出可耐壓150 V的基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A。該產(chǎn)品初始狀態(tài)是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規(guī)格的硅功率器件，品質(zhì)因數(shù)(FOM)可降低近一半?；诟皇客ㄐ滦虶aN功率器件，用戶可以設(shè)計出體積更小，效率更高的電源組件。
2013-07-23
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場未來10年預(yù)計增長18倍，主要需求市場是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場上出現(xiàn)。他們誰會成為未來新興功率器件市場的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
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孰優(yōu)孰劣:氮化鎵場效應(yīng)晶體管VS硅功率器件?
工程師常常認為當(dāng)應(yīng)用需要更高電壓時，使用氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)在性能方面才更具優(yōu)勢。但是，如果只是考慮開關(guān)品質(zhì)因數(shù)，相比先進的MOSFET器件，200V的eGaN FET器件的優(yōu)勢好像減弱了。GaN場效應(yīng)晶體管與硅功率器件中低壓降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的性能到底怎樣？且聽本文細細分解。
2013-05-16
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電源轉(zhuǎn)換新時代的來臨：IR開始商業(yè)裝運GaN器件
IR在業(yè)內(nèi)率先商業(yè)付運可大幅提高現(xiàn)有電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率的GaN功率器件，預(yù)示著電源效率革命性改善新時代的到來。相比當(dāng)今最先進的硅功率器件技術(shù)，氮化鎵技術(shù)平臺能夠?qū)⒖蛻舻碾娫磻?yīng)用的性能指數(shù)(FOM)提升10倍。
2013-05-15
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硅功率MOSFET前景堪憂？
30年前硅功率MOSFET的出現(xiàn)使市場快速接受開關(guān)電源，硅功率MOSFET成為很多應(yīng)用的必選功率器件。近些年來，MOSFET不可避免地進入到性能瓶頸期；然而與此同時，增強型GaN HEMT器件在開關(guān)性能和整個器件帶寬有突破性改善，迅速占領(lǐng)市場。硅功率MOSFET在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的發(fā)展已經(jīng)走到盡頭了嗎？
2013-05-15
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第三講：基于MOSFET的高能效電源設(shè)計
通過結(jié)合改進的電源電路拓撲和概念與改進的低損耗功率器件，開關(guān)電源行業(yè)在提高功率密度、效率和可靠性方面，正在經(jīng)歷革新性發(fā)展。MOSFET是中低電壓電源應(yīng)用的首選功率器件，可以提高溝槽密度，并無需JFET阻抗元件，因此能夠使特征導(dǎo)通阻抗降低30%左右，降低同步整流的能量損耗，極大的提高了電源能效。
2013-05-14
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通過建立優(yōu)化模型和目標函數(shù)實現(xiàn)電化學(xué)整流電源電聯(lián)接
電化學(xué)整流電源是一種高耗能設(shè)備，提高整流效率、降低額外損耗是這類電力電子變換裝置的一個重要的課題。隨著大功率器件制造水平的提高以及壓接工藝技術(shù)的改進，均流問題也不再突出，所以從效率、損耗方面進行優(yōu)化設(shè)計是必要的。
2013-01-07
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無Y電容的充電器變壓器補償設(shè)計方法
在開關(guān)電源中，功率器件高頻導(dǎo)通/關(guān)斷的操作導(dǎo)致的電流和電壓的快速變化而產(chǎn)生較高的電壓及電流尖峰是產(chǎn)生EMI的主要原因。通常情況下，系統(tǒng)前端要加濾除器和Y電容，Y電容的存在會使輸入和輸出線間產(chǎn)生漏電流，具有Y電容的金屬殼手機充電器會讓使用者有觸電的危險，因此，一些手機制造商開始采用無Y電容的充電器，然而，去除Y電容會給EMI的設(shè)計帶來困難，本文將介紹無Y電容的充電器變壓器補償設(shè)計方法。
2012-12-18
- 研華AMAX革新城式：三合一平臺終結(jié)工業(yè)控制“碎片化”困局
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