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導(dǎo)通損耗降低20%的新一代1200V IGBT
Microsemi擴(kuò)展其NPT IGBT產(chǎn)品系列，發(fā)布三款1200V IGBT新產(chǎn)品。相比競爭產(chǎn)品，柵極電荷(Qg)顯著減少，具有更快的開關(guān)性能，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。些IGBT器件設(shè)計(jì)用于大功率的高性能開關(guān)模式產(chǎn)品，比如電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷開關(guān)電源。
2012-09-13
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發(fā)力電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，飛兆半導(dǎo)體推最新IGBT
此次，飛兆半導(dǎo)體借助最新款帶短路功能的IGBT，提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性。600V IGBT提供5A至15A的電流額定值，通過低VCE(sat)額定值能夠最大限度地減少功率損耗，滿足嚴(yán)格的能效指標(biāo)。
2012-09-10
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簡單實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流保護(hù)
盡管功率場(chǎng)效應(yīng)VDMOS 和絕緣柵雙極型晶體管IGBT等電力半導(dǎo)體元器件層出不窮，且在電力電子技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)重要位置，晶閘管（可控硅） 卻因耐高壓耐大電流沖擊的特性，仍有著穩(wěn)固的陣地，受到用戶的青睞。在擯棄電流采樣、放大和執(zhí)行等多個(gè)環(huán)節(jié)的情況下，將單結(jié)晶體管移相觸發(fā)器中的晶體管誤差放大器改為集成運(yùn)算放大器，就可實(shí)現(xiàn)晶閘管直流穩(wěn)壓器的過流及短路保護(hù)，簡化了電路結(jié)構(gòu)，并提高了整機(jī)的穩(wěn)定可靠性能和AC - DC變換效率。
2012-08-29
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英飛凌推出CoolSiC 1200V SiC JFET器件 開關(guān)損耗大幅降低
英飛凌推出新的CoolSiC 1200V SiC JFET 系列，與IGBT相比，新型 CoolSiC 1200V SiC JFET大幅度降低了開關(guān)損耗，在不犧牲系統(tǒng)總體效率的情況下，可以支持更高的開關(guān)頻率。設(shè)計(jì)人員可在不增加太陽能逆變器體積的情況下，實(shí)現(xiàn)更高的輸出功率。
2012-06-21
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羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET一體化封裝 可替代Si-IGBT
羅姆面向工業(yè)設(shè)備和太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出耐壓高達(dá)1200V的第2代SiC MOSFET“SCH2080KE”。實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝，與Si-IGBT相比，工作損耗降低了70％，達(dá)到50kHz以上的開關(guān)頻率
2012-06-18
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Fairchild推出低功耗點(diǎn)火IGBT器件，可將VSAT降低多達(dá)20%
為了滿足現(xiàn)今和新興點(diǎn)火系統(tǒng)對(duì)排放和高燃油效率的嚴(yán)苛要求，汽車設(shè)計(jì)人員需要更高性能的點(diǎn)火線圈驅(qū)動(dòng)器技術(shù)。為幫助設(shè)計(jì)人員滿足這些要求，飛兆半導(dǎo)體公司推出了在較小的占位面積下具有更低功耗的最新一代點(diǎn)火IGBT器件。EcoSPARK2、FGD3040G2和FDG3440G2點(diǎn)火線圈驅(qū)動(dòng)器可將VSAT降低多達(dá)20%，而不會(huì)顯著降低自箝位感性負(fù)載開關(guān)的能量。這項(xiàng)優(yōu)化特性減低了功耗和工作結(jié)溫，并降低了對(duì)散熱器的要求。
2012-06-04
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IR 600V車用COOLiR IGBT開關(guān)速度比肩MOSFET
國際整流器公司 (IR)推出600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，能夠以MOSFET一樣快的開關(guān)速度運(yùn)行，適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
2012-05-30
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英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技（Infineon Technologies AG）開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC產(chǎn)品群”，新產(chǎn)品的主要用途為光伏發(fā)電的逆變器裝置。如果采用SiC型FET代替現(xiàn)有逆變器裝置中使用的IGBT，便可實(shí)現(xiàn)裝置的小型輕量化。這是因?yàn)樾庐a(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)高于IGBT的工作速度。也就是說，即便提高工作頻率，也能降低開關(guān)損失。因此，電感器及電容器等被動(dòng)元件可使用小型產(chǎn)品，所以能夠?qū)崿F(xiàn)整個(gè)裝置的小型輕量化。
2012-05-24
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IR針對(duì)EV|HEV推出600V超高速開關(guān)、耐用高頻IGBT
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出高度創(chuàng)新的600V車用IGBT平臺(tái)COOLiRIGBT，它能夠以和MOSFET一樣快的開關(guān)速度運(yùn)行，同時(shí)在高電平下還提供更高的效率。COOLiRIGBT適合電動(dòng)車 (EV) 和混合動(dòng)力車 (HEV) 中的各種高速開關(guān)應(yīng)用，包括車載直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電池充電器等。
2012-05-23
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BM6103FV-C:羅姆推出業(yè)內(nèi)最小車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”，最適合作為電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。
2012-05-22
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業(yè)界最??！羅姆開發(fā)出車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器
羅姆株式會(huì)社開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”，最適合作為電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨(dú)創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù)，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器，是業(yè)界最小(截至2012年5月22日,根據(jù)羅姆的調(diào)查)的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦方式相比，可大幅降低耗電量，而且由于具備了所有必要的保護(hù)功能和品質(zhì)要求，可減少設(shè)計(jì)時(shí)的工作量。
2012-05-22
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Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%
美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。
2012-05-21
- 噪聲中提取真值！瑞盟科技推出MSA2240電流檢測(cè)芯片賦能多元高端測(cè)量場(chǎng)景
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