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優(yōu)化開關(guān)模式電源的 EMI 輸入濾波器
任何開關(guān)模式電源 (SMPS)都需要EMI（電磁干擾）輸入濾波器，以避免對電源線造成干擾，以及對連接到電源線的其他組件或系統(tǒng)產(chǎn)生干擾。因此，設(shè)計(jì)和優(yōu)化輸入濾波器是 SMPS 開發(fā)的一項(xiàng)重要任務(wù)。雖然必須添加共模和差模噪聲濾波器元件，但很少單獨(dú)優(yōu)化它們。特別是對于高功率應(yīng)用，這可能會(huì)導(dǎo)致 EMI 濾...
2024-03-13
開關(guān)模式電源 EMI 濾波器
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事關(guān)電機(jī)！科力爾等電機(jī)大佬在兩會(huì)提出建議
電機(jī)行業(yè)，作為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的根基和國家競爭力的象征，每年在全國兩會(huì)上都會(huì)引發(fā)廣泛的關(guān)注。行業(yè)巨頭們匯聚一堂，獻(xiàn)策獻(xiàn)力，旨在為中國電機(jī)行業(yè)的騰飛描繪更加宏偉的藍(lán)圖。
2024-03-13
科力爾 電機(jī)
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如何測量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
功率回路 電感
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級。之前我們討論過功率MOSFET的雪崩效應(yīng)，今天，我們將繼續(xù)分享相...
2024-03-12
功率MOSFET UIS
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優(yōu)化大功率直流充電樁設(shè)計(jì)
充電時(shí)間是消費(fèi)者和企業(yè)評估購買電動(dòng)汽車 (EV)的一個(gè)主要考慮因素。為了縮短充電時(shí)間，業(yè)界正轉(zhuǎn)向采用直流充電樁 (DCFC) 。DCFC 繞過電動(dòng)汽車的車載充電器，直接向電池提供更高的功率，從而大大縮短充電時(shí)間。
2024-03-12
直流充電樁
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海康威視在西安城墻，以智能物聯(lián)守護(hù)國寶級文物
作為古都西安一張?zhí)貏e的名片，城墻曾以自己的身軀守護(hù)著一方城郭，而今，一代又一代“城墻人”也保護(hù)著這座世界上歷史最悠久、保存最完整的古代城垣建筑，并將“數(shù)智”技術(shù)貫穿文物保護(hù)之中。2023年，西安城墻打造了“西安城墻數(shù)字方艙”管理平臺(tái)，與?？低暫献鞒闪ⅰ拔谋?shù)據(jù)治理實(shí)驗(yàn)室”，助力城墻實(shí)現(xiàn)...
2024-03-12
?？低?nbsp; 西安城墻 智能物聯(lián)
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如何針對工業(yè)應(yīng)用改造螺線管和步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
工廠車間控制系統(tǒng)、汽車和實(shí)驗(yàn)室設(shè)備等邊緣設(shè)備應(yīng)用越來越多地利用物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和人工智能 (AI) 功能，以實(shí)現(xiàn)低延遲決策、更強(qiáng)性能、更低成本以及更高的安全性和生產(chǎn)力。螺線管和步進(jìn)電機(jī)的驅(qū)動(dòng)器需要與時(shí)俱進(jìn)，加入更多板載傳感和智能功能，以便集成到快速發(fā)展的新環(huán)境中，進(jìn)一步改善精度、可靠性...
2024-03-11
螺線管 步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 工業(yè)應(yīng)用
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