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培育新質生產力，CITE 2024專精特新系列活動全面升級
中央經濟工作會議提出，要以科技創(chuàng)新推動產業(yè)創(chuàng)新，特別是以顛覆性技術和前沿技術催生新產業(yè)、新模式、新動能，發(fā)展新質生產力。會議還強調，要深化重點領域改革，促進中小企業(yè)專精特新發(fā)展。
2024-02-02
CITE 2024 人工智能 芯片半導體 移動通訊 數(shù)字娛樂 機器人 無人機 物聯(lián)網(wǎng)
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意法半導體：SiC新工廠今年投產，豐沛產能滿足井噴市場需求
意法半導體對汽車應用有全面深入的了解，如今，已有650多萬輛純電動汽車搭載了意法半導體的SiC MOSFET，包括電驅逆變器、車載充電機、直流/直流變換器（DC-DC）。我們從2017年開始交付SiC產品，與全球超過75家整車制造商和一級配套廠商建立了業(yè)務關系。
2024-02-02
意法半導體 SiC
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鎖相環(huán)路構成與工作機制
通過環(huán)路濾波器轉化為壓控電壓加到壓控振蕩器上，使壓控振蕩器的輸出頻率Vout逐步同步于輸入信號Vin，直到兩個信號的頻率逐漸同步，相位差也在測量誤差范圍內，那么整個系統(tǒng)就穩(wěn)定下來了。
2024-02-01
鎖相環(huán)路 環(huán)路濾波器
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談談SiC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應用，如電機驅動，有時會出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會在數(shù)據(jù)手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而 大 部 分 的 SiC M...
2024-02-01
SiC MOSFET 短路
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旁路電容和耦合電容：以正確的方式穩(wěn)定電壓
電子產品開發(fā)期間經常需要用到旁路電容。圖1所示為一個開關穩(wěn)壓器，可以從高電壓產生低電壓。在這種類型的電路中，旁路電容(CBYP)尤為重要。它必須支持輸入路徑上的開關電流，使得電源電壓足夠穩(wěn)定，能夠支持設備運行。
2024-02-01
旁路電容 耦合電容 電壓
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實用技巧分享：為特定的模擬開關構建宏模型
如果我的模擬設計中包含開關和多路復用器，那么還能改進開關/多路復用器LTspice?模型嗎？當然能，要生成自己的模型并不困難。本文將以工程師角度為您詳細介紹如何為特定的模擬開關構建不錯的宏模型，以及如何獲取參數(shù)，為實現(xiàn)物理器件的多個不同的半導體工藝提供支持。
2024-02-01
模擬開關 宏模型
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模電的半壁江山——運算放大器的原理和應用
大家學習電子都會接觸運算放大器，常常聽到虛短虛斷一說。虛短虛斷是解開負反饋運放電路的核心方法，具體就要從運放的原理開始說起了。
2024-01-31
模電 運算放大器
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