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提高下一代DRAM器件的寄生電容性能
隨著傳統(tǒng)DRAM器件的持續(xù)縮小，較小尺寸下寄生電容的增加可能會(huì)對(duì)器件性能產(chǎn)生負(fù)面影響，未來可能需要新的DRAM結(jié)構(gòu)來降低總電容，并使器件發(fā)揮出合格的性能。本研究比較了6F2蜂窩動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 器件與4F2垂直通道訪問晶體管 (VCAT) DRAM結(jié)構(gòu)的寄生電容。結(jié)果表明，與6F2結(jié)構(gòu)相比，4F2結(jié)...
2024-11-20
DRAM器件 寄生電容
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意法半導(dǎo)體Web工具配合智能傳感器加快AIoT項(xiàng)目落地
意法半導(dǎo)體新推出了一款基于網(wǎng)絡(luò)的工具 ST AIoT Craft，該工具可以簡(jiǎn)化在意法半導(dǎo)體智能 MEMS 傳感器的機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核 (MLC)上開發(fā)節(jié)點(diǎn)到云端的 AIoT（物聯(lián)網(wǎng)人工智能）項(xiàng)目以及相關(guān)網(wǎng)絡(luò)配置。
2024-11-19
意法半導(dǎo)體 Web工具 智能傳感器 AIoT
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韌性與創(chuàng)新并存，2024 IIC創(chuàng)實(shí)技術(shù)再獲獎(jiǎng)分享供應(yīng)鏈挑戰(zhàn)下的自我成長(zhǎng)
11月5日-6日，由全球電子行業(yè)知名媒體AspenCore主辦的國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)（IIC Shenzhen 2024）在深圳福田會(huì)展中心7號(hào)館圓滿落幕。作為業(yè)界頗具影響力的系統(tǒng)設(shè)計(jì)峰會(huì)，IIC Shenzhen 2024再次為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)搭建了一個(gè)專業(yè)的交流平臺(tái)，聚集國(guó)內(nèi)外電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖、管理人員、設(shè)計(jì)精英及決策者，聚...
2024-11-19
IIC 創(chuàng)實(shí)技術(shù) 供應(yīng)鏈
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上海國(guó)際嵌入式展暨大會(huì)（embedded world China ）與多家國(guó)際知名項(xiàng)目達(dá)成合作
embedded world China 同期嵌入式大會(huì)，延續(xù)德國(guó)母展優(yōu)良傳統(tǒng)，攜手WEKA Fachmedien GmbH共同舉辦——匯集嵌入式系統(tǒng)生態(tài)系統(tǒng)所有學(xué)科的研究人員和開發(fā)人員、行業(yè)和學(xué)術(shù)界，共同推動(dòng)復(fù)雜系統(tǒng)體系的演變及其多方面的創(chuàng)新。
2024-11-19
上海國(guó)際嵌入式展 嵌入式
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第104屆中國(guó)電子展震撼開幕，助推產(chǎn)業(yè)深度融合發(fā)展
近期，隨著特朗普當(dāng)選美國(guó)總統(tǒng)，整個(gè)電子信息產(chǎn)業(yè)一致認(rèn)為全球產(chǎn)業(yè)格局將迎來特朗普2.0時(shí)代，各種預(yù)測(cè)分析撲朔迷離，產(chǎn)業(yè)的區(qū)域化重塑，逐步建立新的格局。同時(shí)，電子信息行業(yè)高速發(fā)展的底層邏輯不變，從底層市場(chǎng)來看，國(guó)際知名產(chǎn)業(yè)機(jī)構(gòu)都預(yù)測(cè)今年半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。企業(yè)側(cè)，國(guó)內(nèi)...
2024-11-19
第104屆中國(guó)電子展 智能制造
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在更寬帶寬應(yīng)用中使用零漂移放大器的注意事項(xiàng)
零漂移運(yùn)算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來消除不需要的低頻誤差源，例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類放大器僅用于低帶寬應(yīng)用中，因?yàn)檫@些技術(shù)在較高頻率時(shí)會(huì)產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運(yùn)算放大...
2024-11-19
零漂移放大器 寬帶寬應(yīng)用
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第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。
2024-11-19
SiC 加工工藝 離子
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