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板載電源:定制還是標(biāo)準(zhǔn)?
在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)中設(shè)計(jì)電路板的電源部分時(shí),很容易從目錄中選擇標(biāo)準(zhǔn)模塊。如今,許多供應(yīng)商提供各種優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,無論是隔離磚還是非隔離負(fù)載點(diǎn)模塊 (POL)。
2023-08-03
板載電源 嵌入式系統(tǒng) 電路板
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動(dòng)優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動(dòng)汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和交流 (AC) 逆變器中,碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率,SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)需要精確的驅(qū)動(dòng)電壓(具體取決于所使用的器件)。
2023-08-03
SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動(dòng) 電源系統(tǒng)
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1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對(duì)持續(xù)挑戰(zhàn)?
SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對(duì)于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源(主要是電力),能效比以往任何時(shí)候都更重要。提高開關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開關(guān)損耗。然而,為了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn),直流母線電壓不斷上升,半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對(duì)...
2023-08-03
高性能 碳化硅器件 安森美
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穩(wěn)壓二極管的動(dòng)態(tài)電阻
穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時(shí)電流會(huì)急劇升高的特性進(jìn)行穩(wěn)壓,表現(xiàn)出此時(shí)的動(dòng)態(tài)電阻 Rz,也就是增加的 電壓除以增加的電流 ,所得到的比值比較小,這樣就會(huì)使得外部電壓的波動(dòng)對(duì)穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。
2023-08-03
穩(wěn)壓二極管 動(dòng)態(tài)電阻
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晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算
功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器,UPS旁路等場(chǎng)合。本文通過公式計(jì)算和在線IPOSIM仿真兩種方式,對(duì)晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計(jì)算和結(jié)溫預(yù)估進(jìn)行說明,給廣大工程師在晶閘管選型時(shí)提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計(jì)算,請(qǐng)參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計(jì)算》。
2023-08-03
晶閘管 UPS 損耗
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AFE8092幀同步特性簡(jiǎn)析
TI Transceiver芯片是高集成度,高性能的射頻收發(fā)器芯片。產(chǎn)品族內(nèi)產(chǎn)品架構(gòu)種類豐富。在產(chǎn)品架構(gòu)方面,包括了以AFE77xx系列為代表的零中頻架構(gòu)收發(fā)信機(jī),以AFE80xx, AFE79xx,AFE76xx系列為代表的射頻直采架構(gòu)收發(fā)信機(jī)。在產(chǎn)品通道數(shù)方面,支持最低2T2R1F,4T4R2F到8T8R2F的通道數(shù)。同時(shí),也支持大...
2023-08-03
AFE8092 射頻收發(fā)器
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一文解讀GNSS信號(hào)對(duì)網(wǎng)絡(luò)中授時(shí)應(yīng)用的益處
無論身在何處,我們對(duì)于無時(shí)無刻地觀看視頻內(nèi)容已經(jīng)習(xí)以為常。但對(duì)負(fù)責(zé)、構(gòu)建和維護(hù)底層網(wǎng)絡(luò)的幕后工作者而言,事情并沒有那么簡(jiǎn)單,消費(fèi)者日益提升的期望給他們帶來了重重難題。
2023-08-02
GNSS信號(hào) L1頻段GNSS
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