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賓夕法尼亞州立大學(xué)與安森美簽署諒解備忘錄以推動(dòng)碳化硅研究
2023 年 5 月 17日—賓夕法尼亞州立大學(xué)與智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），宣布雙方簽署了一份諒解備忘錄 (MOU)，旨在開(kāi)展一項(xiàng)總額達(dá) 800 萬(wàn)美元的戰(zhàn)略合作，其中包括在賓夕法尼亞州立大學(xué)材料研究所 (MRI) 開(kāi)設(shè)安森美碳化硅晶體中心 (SiC3)。未來(lái) 10 ...
2023-05-19
安森美 碳化硅
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可能毀掉您設(shè)計(jì)的 PCB 布局樣式錯(cuò)誤
現(xiàn)代 PCB 布局軟件允許工程師、設(shè)計(jì)師和愛(ài)好者快速輕松地設(shè)計(jì) PCB。該軟件提供了創(chuàng)造性的自由，但有時(shí)這并不是一件好事。PCB 設(shè)計(jì)人員可能會(huì)犯草率的設(shè)計(jì)錯(cuò)誤，這些錯(cuò)誤不會(huì)影響產(chǎn)品的功能，但可能會(huì)影響裝配、調(diào)試和產(chǎn)量，因?yàn)檫@些草率的錯(cuò)誤會(huì)造成混亂。本文介紹了一些基本的草率 PCB 設(shè)計(jì)風(fēng)格錯(cuò)...
2023-05-19
PCB 布局
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什么是傳輸門(mén)（模擬開(kāi)關(guān)）
本應(yīng)用筆記描述了輸電門(mén)的用途和基本操作。本文解釋了如何使用傳輸門(mén)快速隔離多個(gè)信號(hào)，同時(shí)對(duì)電路板面積的投資最少，并且這些關(guān)鍵信號(hào)的特性下降可以忽略不計(jì)。DS3690是示例器件。
2023-05-19
傳輸門(mén) 模擬開(kāi)關(guān)
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解析DDR設(shè)計(jì)中容性負(fù)載補(bǔ)償?shù)淖饔?/span>
關(guān)于容性負(fù)載的介紹，高速先生之前有寫(xiě)過(guò)一遍文章《DDR3系列之容性負(fù)載補(bǔ)償，你聽(tīng)都沒(méi)聽(tīng)過(guò)？》，今天我們進(jìn)一步研究一下。先來(lái)了解一下容性負(fù)載和感性負(fù)載對(duì)鏈路阻抗的影響。仿真鏈路模型如下圖所示。鏈路中有三段50Ω的理想傳輸線，第一段和第二段之間增加一個(gè)電容模擬容性負(fù)載，第二段和第三段之間...
2023-05-19
DDR設(shè)計(jì) 負(fù)載補(bǔ)償
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Σ －Δ ADC的高精度數(shù)模轉(zhuǎn)化，是如何實(shí)現(xiàn)的？
你可能會(huì)知道Delta-Sigma(Σ-Δ) ADC可以達(dá)到很高的精度，它是具體怎么實(shí)現(xiàn)的？ 本文將從量化噪聲、信噪比、過(guò)采樣等概念出發(fā)，分析Delta-Sigma ADC的工作原理。
2023-05-19
Σ －Δ ADC 數(shù)模轉(zhuǎn)化
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提升新能源車(chē)電驅(qū)方案中單管封裝的散熱性能
經(jīng)典單管TO直插封裝有兩類(lèi)TO-220和TO-247，其使逆變器系統(tǒng)并聯(lián)擴(kuò)容靈活，器件成本優(yōu)勢(shì)明顯，且標(biāo)準(zhǔn)封裝容易找替代品，廣泛應(yīng)用于中小功率范圍。在單管電驅(qū)應(yīng)用方案中可以覆蓋30kW到180kW功率范圍，最多需要6-8個(gè)單管的并聯(lián)來(lái)實(shí)現(xiàn)方案。
2023-05-19
新能源車(chē) 電驅(qū)方案 單管封裝
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DC/DC變換器FB分壓電阻設(shè)計(jì)
在 DC/DC 變換器中，反饋 (FB) 分壓電阻的規(guī)格常給設(shè)計(jì)人員帶來(lái)各種設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，例如如何確定所需的電阻或調(diào)節(jié)參數(shù)（如輸出電壓、上分壓電阻或下分壓電阻）。 圖 1 顯示了 FB 上/下分壓電阻的各種幅度組合。
2023-05-19
DC/DC變換器 FB分壓電阻
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