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技術(shù)文章

整流電容濾波負(fù)載實(shí)例

六期連載，整流電路AC/DC變換應(yīng)用非常廣泛，其中二極管整流在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中是主流的方案，而且功率范圍很廣，所以了解二極管整流工程設(shè)計(jì)非常重要。

2022-09-23

整流電容濾波負(fù)載

功率放大器模塊及其在5G設(shè)計(jì)中的作用

許多射頻設(shè)計(jì)人員都對(duì) Franklin Douglass 的名言深有同感：“沒(méi)有斗爭(zhēng)就沒(méi)有進(jìn)步?！痹跒?5G 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，尤其如此?？萍加型淖儫o(wú)線通信，但也會(huì)帶來(lái)設(shè)計(jì)難題。利用功率放大器模塊 (PAM) 來(lái)化解。以下是你需要知道的一切。

2022-09-23

功率放大器模塊 5G

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過(guò)基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

什么是雪崩失效

當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱(chēng)為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱(chēng)為“雪...

2022-09-22

MOSFET 失效機(jī)理雪崩擊穿

為什么要計(jì)算電容器壽命？

電解電容器和聚合物混合電容器具有多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，然而它們的使用壽命有限，用戶需要借助算法來(lái)確定其壽命。

2022-09-22

計(jì)算電容器壽命

在實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中使用傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)可靠性的3個(gè)技巧

實(shí)時(shí)控制是閉環(huán)系統(tǒng)在定義的時(shí)間窗口內(nèi)收集數(shù)據(jù)、處理數(shù)據(jù)并更新系統(tǒng)的能力。作為文章“實(shí)時(shí)控制簡(jiǎn)介及其重要性”的續(xù)篇，本文將詳細(xì)介紹實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的第一個(gè)功能塊“檢測(cè)（收集）數(shù)據(jù)”，并針對(duì)如何通過(guò)關(guān)注特定傳感器參數(shù)來(lái)優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)的數(shù)據(jù)捕獲提供了三個(gè)技巧。

2022-09-22

實(shí)時(shí)控制傳感器優(yōu)化數(shù)據(jù)

表面貼裝的散熱面積估算和注意事項(xiàng)

到目前為止，我們已經(jīng)介紹過(guò)使用熱阻和熱特性參數(shù)來(lái)估算TJ的方法。本文將介紹在表面貼裝應(yīng)用中，如何估算散熱面積以確保符合TJ max，以及與熱相關(guān)的元器件布局注意事項(xiàng)。

2022-09-21

表面貼裝散熱面積估算

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