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基于小華HC32F460的10萬RPM高速風筒方案
電吹風已是我們生活必備的小工具，高速風筒以其高效速干、體積小質量輕等優(yōu)勢讓使用者獲得更好的使用體驗，本篇將帶大家了解高速風筒的特點及兩款基于小華MCU的方案，歡迎來聊。
2022-06-16
小華HC32F460 風筒方案 立功科技
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高速光通信模塊設計
COVID-19 讓我們不得不面對一個現(xiàn)實，那就是面對面的交流變得不那么常見了。伴隨著最新一波包含無數(shù)新技術的數(shù)字化與信息化浪潮，互聯(lián)網訪問成為我們精準、實時的社交與交流重要手段。
2022-06-16
光通信 模塊 設計
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SiC設計干貨分享（一）：SiC MOSFET驅動電壓的分析及探討
隨著制備技術的進步，在需求的不斷拉動下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關產品的研發(fā)與應用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲能等應用領域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅動電壓
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25kW SiC直流快充設計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅動系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅動
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如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。
2022-06-15
SiC MOSFET 門極電壓
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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適合工業(yè)應用的魯棒SPI/I2C通信
對于控制器和外設之間的短距離電路板內連接，串行外設接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標準。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據轉換器制造商廣泛采用。當控制器和外設位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠（不大于1米）時...
2022-06-14
工業(yè)應用 SPI ADI
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