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采用PLC 解決車輛分散驅(qū)動的同步控制問題
當(dāng)車輛驅(qū)動電機(jī)采用分散驅(qū)動時, 受電機(jī)轉(zhuǎn)速不同步的影響, 可導(dǎo)致車體運(yùn)行不協(xié)調(diào), 進(jìn)而使電機(jī)轉(zhuǎn)速偏離正常值, 嚴(yán)重時會造成設(shè)備損壞。因此,解決車輛驅(qū)動電機(jī)在分散驅(qū)動時產(chǎn)生的電機(jī)轉(zhuǎn)速不同步問題具有現(xiàn)實(shí)意義。
2011-10-08
PLC 車輛分散驅(qū)動 同步控制 驅(qū)動布置
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MEMS傳感器的優(yōu)化與動態(tài)試驗(yàn)
現(xiàn)代液壓技術(shù)研究熱點(diǎn)由靜態(tài)特性向動態(tài)特性轉(zhuǎn)變，以往的經(jīng)驗(yàn)證明，靜態(tài)特性很完善的系統(tǒng)，運(yùn)行后時常會發(fā)生振動、噪音等問題，這主要是由于系統(tǒng)動態(tài)特性研究不到造成的。出于種種目的，國內(nèi)外對管道動特性進(jìn)行了許多研究，非定常流動的油液，由于其外部表現(xiàn)和內(nèi)在機(jī)理的復(fù)雜性，直到現(xiàn)在仍有不少問...
2011-10-08
MEMS 傳感器 優(yōu)化 動態(tài)試驗(yàn)
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開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動
開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來說是一個非常復(fù)雜的過程，但我們在進(jìn)行工作原理分析的時候，一般都會先對一些非主要問題進(jìn)行簡單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時候，我們就把它看成是一個理想的開關(guān)，其工作時只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個很復(fù)雜的過程...
2011-10-07
開關(guān)電源 開關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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USB 2.0與USB 3.0功能特性對比分析
對于開發(fā)商而言，挑戰(zhàn)是如何充分利用USB 3.0的潛能。本文將探討使用USB 3.0硬件軟件設(shè)計(jì)問題，本文主要介紹的是手持產(chǎn)品。首先，我們將比較USB 2.0和USB 3.0的性能，以及過渡到USB 3.0模塊影響到的器件。
2011-10-07
USB 2.0 USB 3.0 USB
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項(xiàng)目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點(diǎn)為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項(xiàng)目明顯增多，帶動全行業(yè)新開工項(xiàng)目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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2011年硅磁傳感器銷售額預(yù)計(jì)增長24%
據(jù)IHS iSuppli公司的MEMS與傳感器專題報(bào)告，汽車產(chǎn)業(yè)恢復(fù)生機(jī)，全球智能手機(jī)和平板電腦對于數(shù)字羅盤的需求上升，正在推動硅磁傳感器市場加速增長，預(yù)計(jì)2011年銷售額將上升23.7%。
2011-10-05
硅磁傳感器 傳感器 MEMS
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半導(dǎo)體庫存進(jìn)一步提升 產(chǎn)能過剩警報(bào)響起
研究機(jī)構(gòu)Gartner表示，2011年三季度半導(dǎo)體庫存將進(jìn)一步提升，達(dá)到“令人擔(dān)憂”的水平?！罢麄€行業(yè)產(chǎn)能過剩的警報(bào)已經(jīng)開始響起。”全球第三大半導(dǎo)體代工企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>
2011-10-04
半導(dǎo)體 產(chǎn)能 半導(dǎo)體封測
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正確選擇MOSFET四大要素
作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，MOSFET需要工程師深入了解其關(guān)鍵特性及指標(biāo)，以做出正確選型。本文講述正確選擇MOSFET的方法，包括確定N/P溝道、確定額定電流、確定熱要求、決定開關(guān)性能四大步驟，根據(jù)RDS（ON）、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關(guān)性能指標(biāo)來選擇正確的MOSFET。
2011-10-04
MOSFET MOSFET選擇 MOSFET選型
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