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汽車電子

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2010-03-16

RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管

HAL1821/1822/1823 ：Micronas推出汽車應(yīng)用霍爾效應(yīng)傳感器

Micronas推出汽車應(yīng)用的霍爾效應(yīng)傳感器HAL 1821/1822/1823，HAL 1821/1822/1823通用磁場傳感器提供一個比例、線性模擬輸出，用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的磁場測量、電流測量和任何機械運動的檢測。

2010-03-15

HAL1821/1822/1823 Micronas 汽車電子傳感器

安森美半導(dǎo)體可調(diào)光LED驅(qū)動與彎道輔助照明系統(tǒng)受到關(guān)注

近日，安森美半導(dǎo)體展出了針對支持TRIAC調(diào)光的LED照明驅(qū)動器NCL30000、汽車尾燈控制IC NCV7689以及彎道輔助照明系統(tǒng)。NCL30000是安森美半導(dǎo)體新推出的支持TRIAC調(diào)光的功率因數(shù)校正LED驅(qū)動器，適合用于住宅及商業(yè)照明應(yīng)用。

2010-03-15

可調(diào)光LED驅(qū)動彎道輔助照明汽車后組合燈控制

更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術(shù)革命

GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。

2010-03-15

輕便低溫 IR GaN 功率器件革命

TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器

特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時，基板與脈沖變壓器是先通過手動方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡化生產(chǎn)工序。

2010-03-15

電感器 SMD LAN 脈沖變壓器

中國制定太陽能光伏政策要考慮國情

對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費者來推動的,消費者是真正的推動力?，F(xiàn)在半導(dǎo)體市場的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備，比如智能手機、運行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費者和企業(yè)喜歡購買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品，才能促...

2010-03-15

應(yīng)用材料太陽能光伏政策

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅(qū)動應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。

2010-03-15

IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻

高檔汽車音頻市場到2016年將翻一番

2010年全球車用高檔音響出貨量預(yù)計將上升到670萬套，比2009年的590萬增長12.9%。之前的2009年下降了8%。到2016年，出貨量將上升到1370萬套，約為2010年的兩倍。

2010-03-12

高檔汽車音頻市場翻番

元件價格走勢更新，商品IC供應(yīng)保持緊張

這是指在可預(yù)見的將來，庫存將保持精簡。許多供應(yīng)商對于目前的庫存水平感到非常滿意，盡管iSuppli公司追蹤的十分之九的供應(yīng)鏈節(jié)點庫存天數(shù)(DOI)仍接近歷史低位。只有電子制造服務(wù)(EMS)提供商的庫存出現(xiàn)增長。

2010-03-12

元件價格走勢 IC供應(yīng) 緊張

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