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使用貼片壓敏電阻的智能手機(jī)音頻線路解決方案指南
TDK的貼片壓敏電阻不僅可作為音頻線路的ESD對(duì)策，同時(shí)也是能滿足①大幅削減貼裝面積 ②音頻失真小 ③改善接收靈敏度 ④抑制噪音 等音頻線路特有的各類要求的ESD保護(hù)元件。本次的推文就為智能手機(jī)音頻線路提供最佳解決方案的各類優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說(shuō)明。
2020-04-09
貼片壓敏電阻 智能手機(jī) 音頻線路 解決方案
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使用0級(jí)數(shù)字隔離器解決高溫隔離設(shè)計(jì)難題
因?yàn)槠嚬I(yè)繼續(xù)在混合電動(dòng)汽車（HEV）中采用48V系統(tǒng)，車載網(wǎng)絡(luò)對(duì)信號(hào)隔離的需求變得更加重要。如果對(duì)低壓電路沒(méi)有進(jìn)行可靠、有效的保護(hù)，高電壓的特性和優(yōu)勢(shì)就會(huì)大大降低。
2020-04-09
0級(jí)數(shù)字隔離器 高溫隔離 設(shè)計(jì)
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求助！如何解決設(shè)計(jì)中更高頻率下產(chǎn)生更大的噪音問(wèn)題？
IC設(shè)計(jì)工程師和電路設(shè)計(jì)人員都深知電流噪聲會(huì)隨頻率增高而變大，但由于關(guān)于此領(lǐng)域的資料過(guò)少，或者制造商提供的信息不全，許多工程師很難了解其原因。
2020-04-07
電流噪聲 輸入放大器
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Teledyne e2v：三種調(diào)整處理器系統(tǒng)功耗的方法
隨著新型處理器的執(zhí)行效率飛速提高，其對(duì)計(jì)算能力的追求有時(shí)超過(guò)了冷卻系統(tǒng)的能力。而且，機(jī)械和散熱設(shè)計(jì)通常是最后完成的研發(fā)步驟。因此，在設(shè)計(jì)的過(guò)程中可能在最后階段才發(fā)現(xiàn)超過(guò)了散熱系統(tǒng)的限制。設(shè)計(jì)師通常需優(yōu)化系統(tǒng)并找到可接受的折中方案。
2020-04-05
處理器系統(tǒng) Teledyne e2v
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文氏橋振蕩電路的原理？看完這篇文章你就清楚了
文氏橋電路是一個(gè)非常經(jīng)典的電路，歷經(jīng)多年，盡管存在一些缺點(diǎn)，但仍然是教科書里面的必講內(nèi)容。從電路結(jié)構(gòu)來(lái)看，并不復(fù)雜，但是這里面隱含的知識(shí)點(diǎn)卻很多，涉及的內(nèi)容也比較廣泛，有信號(hào)與系統(tǒng)的知識(shí)，還要用到一點(diǎn)復(fù)變函數(shù)的知識(shí)，還涉及到相位的概念。因此，值得把這個(gè)電路仔細(xì)研究一下。
2020-04-05
文氏橋振蕩電路
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實(shí)現(xiàn)運(yùn)放負(fù)反饋電路穩(wěn)定性設(shè)計(jì)，只需這3步！
集成運(yùn)算放大器的參數(shù)有很多，但涉及到實(shí)際應(yīng)用環(huán)境的不同，一些參數(shù)非常重要，另外一些則相對(duì)次要。例如，在交流高頻領(lǐng)域，會(huì)重視帶寬和壓擺率，而在直流精密場(chǎng)合，則重視輸入失調(diào)電壓、輸入偏置電流。
2020-03-31
運(yùn)放 負(fù)反饋電路
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電阻有了“額定功率”，為什么還有“額定電壓”？
在審核電路的時(shí)候，往往比較關(guān)注電阻的額定功率。電壓確定了，功耗也就確定了。所以這兩個(gè)參數(shù)相關(guān)。不少開(kāi)發(fā)人員覺(jué)得，關(guān)注額定功率就可以了，電阻的額定電壓是多余的參數(shù)，不需要關(guān)注。
2020-03-27
電阻 額定功率 額定電壓
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LC諧振電路你知道多少？
LC并聯(lián)、串聯(lián)諧振電路在應(yīng)用中的變化較多，是電路中分析的一個(gè)難點(diǎn)，只有掌握LC并聯(lián)、串聯(lián)電路的阻抗特性等基本概念，才能正確方便地理解含有LC并聯(lián)、串聯(lián)諧振電路的各種不同電路的工作原理。
2020-03-26
LC諧振電路 串聯(lián)諧振電路
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如何實(shí)現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動(dòng)電路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件，柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于 IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作 MOSFET/IGBT，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極。
2020-03-26
IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)電路 驅(qū)動(dòng)器IC
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