- 在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)電壓下的最大導(dǎo)通電阻僅3mΩ和3.8mΩ
- 前向電壓降要遠(yuǎn)低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降
- 肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷(QRP)比MOSFET體二極管要低
- 可消除寄生電感
- 筆記本電腦
- 計(jì)算機(jī)和服務(wù)器等
新的Si4628DY SkyFET通??捎米鐾浇祲?a target="_blank" style="text-decoration:none;" >轉(zhuǎn)換器中的低壓側(cè)功率MOSFET,降壓轉(zhuǎn)換器可用于筆記本電腦的內(nèi)核電壓和VRM應(yīng)用、圖形卡、負(fù)載點(diǎn)功率轉(zhuǎn)換,以及計(jì)算機(jī)和服務(wù)器當(dāng)中的同步整流。品質(zhì)因數(shù)(FOM)是導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積,是這些應(yīng)用的關(guān)鍵性能指標(biāo),與采用SO-8封裝的最接近器件相比,該器件在10V和4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下的FOM分別小26%和34%。
Si4628DY可改善用主電網(wǎng)供電的服務(wù)器或電池供電的筆記本電腦在輕負(fù)載條件下的功率轉(zhuǎn)換效率。在輕負(fù)載條件下,功率轉(zhuǎn)換器中的MOSFET是關(guān)閉的,電流通過(guò)肖特基二極管進(jìn)行傳輸。由于肖特基二極管與MOSFET集成在一起,其前向電壓降要遠(yuǎn)低于MOSFET內(nèi)部體二極管上的電壓降。因此,當(dāng)降壓轉(zhuǎn)換器中的MOSFET在死區(qū)時(shí)間內(nèi)被關(guān)斷時(shí),該特性能夠大大減少功率損耗。
肖特基二極管的反向恢復(fù)電荷(QRP)比MOSFET體二極管的QRP要低,因此能夠進(jìn)一步改善性能。Vishay Siliconix的SkyFET技術(shù)使器件的QRP比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET體二極管減少了幾乎75%,可以提高輕負(fù)載條件下的轉(zhuǎn)換效率。
最后,將肖特基二極管集成進(jìn)MOSFET硅片可消除寄生電感。如果是以分立器件的形式將肖特基二極管和MOSFET安裝到PCB板上,或是把分立的MOSFET和肖特基二極管封裝在一起,均會(huì)引入寄生電感。
這些特性所帶來(lái)的效率改善,能夠直接降低能量消耗,降低服務(wù)器集群等設(shè)施的電費(fèi)開支,延長(zhǎng)膝上計(jì)算機(jī)在兩次充電之間的電池壽命。
Si4628DY現(xiàn)可提供樣品,并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。