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恒流負載導(dǎo)致的啟動故障
內(nèi)置折返式限流電路的線性穩(wěn)壓器IC，在IC啟動前輸出端被施加恒流負載時，可能會出現(xiàn)無法啟動的問題。
2022-12-08
恒流負載 啟動故障
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智能控制如何降低能耗
越來越多的企業(yè)和個人都在尋找減少能源足跡和增加使用可再生資源的方法。為了產(chǎn)生顯著的效果，我們應(yīng)該把重點放在哪些方面？
2022-12-08
智能控制 能耗
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開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(五)（環(huán)路的分析）
估計很多人已經(jīng)等不及了，什么時候可以開始環(huán)路的分析。為了盡快進入到大家關(guān)心的部分，這一講我們正式進入環(huán)路分析的部分——傳遞函數(shù)。
2022-12-07
開關(guān)電源環(huán)路
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ups電源在線式和后備式的區(qū)別
在線式UPS是指不管電網(wǎng)電壓是否正常，負載所用的交流電壓都要經(jīng)過逆變電路，逆變器一直處于工作狀態(tài)。所以當停電時，UPS能馬上將其存儲的電能通過逆變器轉(zhuǎn)化為交流電對負載進行供電，從而達到了輸出電壓零中斷的切換目標。
2022-12-07
ups電源 線式ups 后備式ups
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高階整車域控制器的詳細設(shè)計方案
汽車“四化”發(fā)展方向是汽車工業(yè)未來的發(fā)展趨勢，其中包含自動駕駛、網(wǎng)聯(lián)化、動力系統(tǒng)電氣化和共享移動化。隨著智能駕駛技術(shù)對于整車智能化程度要求的不斷提升，對其整車的控制能力要求也大幅提升，這一過程推動整車電子電器架構(gòu)逐漸從分布式架構(gòu)向集中式專用域控制器架構(gòu)進行不斷演進和發(fā)展，以便提...
2022-12-06
高階整車 域控制器 設(shè)計方案
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如何有效防止開關(guān)模式電源的輸入過壓
輸入過壓會損壞電源并對人員造成傷害。如何避免輸入過壓？通過對電源元器件進行電壓應(yīng)力分析，確定了開關(guān)模式電源的關(guān)鍵元器件選型指南。同時，增加電源的內(nèi)部電氣間隙和爬電距離，也有利于優(yōu)化電壓應(yīng)力。
2022-12-05
開關(guān)模式電源 輸入過壓
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寄生電感的介紹
不知道大家在調(diào)試電路的時候，有沒有遇到這種情況，就是板子上所有的元器件參數(shù)和焊接都是正確的，可是通電以后，電路中的某些器件立馬就發(fā)生了損壞。這種現(xiàn)象很有可能跟電路中一種隱藏的東西有關(guān) -- 寄生電感。
2022-12-05
寄生電感 LP6451
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適用于下一代大功率應(yīng)用的XHP2封裝
軌道交通牽引變流器的平臺化設(shè)計和易擴展性是其主要發(fā)展方向之一，其對半導(dǎo)體器件也提出了新的需求。一方面需要半導(dǎo)體器件能滿足更寬的電壓等級和電流等級，另一方面也要兼容電力電子器件的新技術(shù)，比如IGBT5/.XT或SiC MOSFET。這樣既有利于電力電子系統(tǒng)的平臺化設(shè)計，也可以增加系統(tǒng)的功率密度，減...
2022-12-05
大功率應(yīng)用 XHP2封裝
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小...
2022-12-02
SiC MOSFET 模塊 工業(yè)設(shè)備
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