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開(kāi)關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計(jì)
如今，開(kāi)關(guān)電源體積越來(lái)越小，功率密度越來(lái)越大，EMl/EMC問(wèn)題成為了開(kāi)關(guān)電源穩(wěn)定性的一個(gè)關(guān)鍵因素，也是最容易忽視的一個(gè)方面。實(shí)踐證明，EMI問(wèn)題越早考慮，越早解決，費(fèi)用越小，效果越好。隨著各國(guó)電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的加強(qiáng)，電磁兼容性設(shè)計(jì)在開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中的位置也愈加重要，因此，必須充分重視...
2008-09-29
EMC 電磁干擾 EMT 屏蔽措施
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電源高位跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
本系統(tǒng)通過(guò)采用可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān)的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無(wú)級(jí)跟蹤控制的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了輸入極電壓對(duì)輸出極電壓的非開(kāi)關(guān)電源方式的全程無(wú)級(jí)高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。
2008-09-29
差壓轉(zhuǎn)換 同步取樣 可控硅延時(shí)開(kāi)關(guān) 無(wú)級(jí)高位跟蹤
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設(shè)計(jì)實(shí)例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。一個(gè)隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內(nèi)保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍?xún)H約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開(kāi)關(guān)S1就會(huì)關(guān)閉，而來(lái)...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)需要高效率和低IQ
由于在機(jī)箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設(shè)計(jì)師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡(jiǎn)單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設(shè)計(jì)
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢(shì)成為DSC、掌上游戲機(jī)或手機(jī)等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景?？傊?，技術(shù)與市場(chǎng)潛力是一個(gè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上，國(guó)內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定，若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實(shí)力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來(lái)越大和動(dòng)態(tài)要求的越來(lái)越嚴(yán)格，AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識(shí)。本文對(duì)AVP控制策略的有源法和無(wú)源法進(jìn)行了理論分析，并采用一種新式檢測(cè)方法實(shí)現(xiàn)AVP控制,并通過(guò)比較實(shí)驗(yàn)證實(shí)了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調(diào)整模塊 降壓控制 有源法 無(wú)源法
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CCD數(shù)字相機(jī)的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
為實(shí)現(xiàn)多路DC/DC轉(zhuǎn)換功能，提出一種開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源與線(xiàn)性穩(wěn)壓電源相結(jié)合的系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的開(kāi)關(guān)電源和線(xiàn)性穩(wěn)壓電源的工作特性，并結(jié)合CCD相機(jī)的整體設(shè)計(jì)要求，實(shí)現(xiàn)了相機(jī)電源的功耗低、發(fā)熱量小、EMI干擾輕的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2008-09-29
CCD 電源 DC/DC轉(zhuǎn)換
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EMI及無(wú)Y電容手機(jī)充電器的設(shè)計(jì)
本文介紹了與EMI傳導(dǎo)相關(guān)的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的概念，然后詳細(xì)地說(shuō)明了在變壓器結(jié)構(gòu)中使用補(bǔ)償設(shè)計(jì)以及靜點(diǎn)和動(dòng)點(diǎn)的調(diào)整方法，以提高EMI的傳導(dǎo)性能。最后給出了相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)波形和測(cè)試結(jié)果。
2008-09-29
傳導(dǎo)干擾 共模電流 差模電流 Y電容
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電源應(yīng)用中場(chǎng)效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)中 , 使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開(kāi)關(guān)已經(jīng)越來(lái)越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對(duì)場(chǎng)效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。
2008-09-29
場(chǎng)效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過(guò)壓
- 授權(quán)代理商貿(mào)澤電子供應(yīng)Same Sky多樣化電子元器件
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