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電源管理

BM6103FV-C:羅姆推出業(yè)內(nèi)最小車載用內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置絕緣元件的柵極驅(qū)動(dòng)器“BM6103FV-C”，最適合作為電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力車（HEV）逆變回路中IGBT以及功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)元件。

2012-05-22

羅姆 BM6103FV-C 柵極驅(qū)動(dòng)器

Green Star Green World 中電華星<br/> — 致力于為新能源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案

Green Star Green World 中電華星
— 致力于為新能源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案

長期以來，中電華星一直致力于為電源客戶提供最具競爭力的測試系統(tǒng)解決方案。在與電力電子及相關(guān)行業(yè)長期合作中，針對(duì)新能源行業(yè)深入調(diào)查和研究，現(xiàn)將各類新能源產(chǎn)品測試方案提供給大家，給力新能源產(chǎn)業(yè)，共建綠地球。

2012-05-22

中電華星新能源測試系統(tǒng)

Microsemi新款1200V非穿通型IGBT開關(guān)和導(dǎo)通損耗降低20%

美高森美 (Microsemi) 推出新一代1200V非穿通型IGBT系列中的首款產(chǎn)品。新的IGBT系列采用尖端Power MOS 8技術(shù)，與競爭解決方案相比，總體開關(guān)和導(dǎo)通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準(zhǔn)電焊機(jī)、太陽能逆變器和不間斷與開關(guān)電源等應(yīng)用。

2012-05-21

IGBT Power MOS 8 Microsemi

不用稀土，日立開發(fā)出效率達(dá)93%的工業(yè)馬達(dá)

日立制作所和日立產(chǎn)機(jī)系統(tǒng)開發(fā)出了效率提高到了約93％的永久磁鐵式同步馬達(dá)，其中未使用含釹（Nd）及鏑（Dy）等稀土元素的釹（Nd-Fe-B）磁鐵。該馬達(dá)的輸出功率為11kW。日立制作所日立研究所馬達(dá)系統(tǒng)研究部MS3部門負(fù)責(zé)人榎本裕治表示：“可用來配備在（鼓風(fēng)機(jī)及流體泵等）需求較大的工業(yè)設(shè)備上。”

2012-05-21

日立工業(yè)馬達(dá) 稀土

IDT新型4M系列振蕩器可替代傳統(tǒng)六管腳晶體振蕩器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商IDT公司 (Integrated Device Technology, Inc.) 宣布，已推出全球首款針對(duì)高性能通信、消費(fèi)、云和工業(yè)應(yīng)用的CrystalFree壓電MEMS（pMEMS）LVDS/LVPECL振蕩器。IDT的新型振蕩器可在緊湊業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝中以遠(yuǎn)低于1皮秒的相位抖...

2012-05-18

IDT 4M系列振蕩器

慘跌之后：電源管理半導(dǎo)體Q2開始復(fù)蘇

據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報(bào)告，繼2011年第四季度慘跌之后，電源管理半導(dǎo)體在2012年初有所回升，并在第二季度終于走上明顯增長之路，主要是受消費(fèi)與工業(yè)領(lǐng)域的擴(kuò)張推動(dòng)。第二季度電源管理半導(dǎo)體營業(yè)收入將達(dá)到80億美元，比第一季度的75億美元增長6.7%。

2012-05-18

電源管理半導(dǎo)體

NXP高效能低VF肖特基整流器鎖定行動(dòng)裝置

恩智浦(NXP)推出采用1.0毫米(mm)×0.6毫米×0.37毫米超小扁平SMD塑膠封裝DFN1006D-2(SOD882D)的肖特基整流器。該款20伏特(V)、0.5安培(A)PMEG2005BELD蕭特基勢壘整流器，是目前市場上尺寸最小的產(chǎn)品，在0.5安培正向電流下的最大正向電壓為390毫伏特(mV)，可顯著提升電池壽命和性能。

2012-05-16

NXP 肖特基整流器

面向新一代高帶寬無線接收器的ADC大幅提升能效和速度

日前舉辦的國際固態(tài)電路研討會(huì)（ISSCC2012）上，imec和瑞薩電子株式會(huì)社（以下簡稱“瑞薩電子”）推出了創(chuàng)新型SAR-ADC（逐次比較性模數(shù)轉(zhuǎn)換器），大幅提升了能效和速度，面向符合新一代高帶寬標(biāo)準(zhǔn)要求的無線接收器，例如LTE-advanced和新興的Wi-Fi（IEEE802.11ac）。

2012-05-16

高帶寬無線接收器 ADC

飛兆最新MOSFET采用微間距WL-CSP封裝占版面積僅0.64mm2

飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了FDZ661PZ和FDZ663P P溝道、1.5V規(guī)格的PowerTrench薄型WL-CSP MOSFET器件。這些器件采用最新的“微間距”薄型WL-CSP封裝工藝，最大限度地減小線路板空間和RDS(ON)，并在微小外形尺寸封裝中實(shí)現(xiàn)出色的散熱特性，可幫助便攜設(shè)備開發(fā)人員應(yīng)對(duì)空間和散熱的挑戰(zhàn)。

2012-05-15

WL-CSP PowerTrench MOSFET FDZ661PZ FDZ663P

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