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技術(shù)文章

了解開關(guān)模式調(diào)節(jié)：降壓轉(zhuǎn)換器

對于電源目的而言，僅電感器電流就會產(chǎn)生太多紋波。然而，電感器與輸出電容器一起工作，提供足夠的濾波，以實現(xiàn)您在圖中看到的穩(wěn)定、低紋波負(fù)載電流。請注意，負(fù)載電流是電感電流的平均值。

2023-08-03

開關(guān)模式調(diào)節(jié) 降壓轉(zhuǎn)換器

控制電機控制器的微控制器

您可能已經(jīng)在框圖中注意到 EFM8 似乎由 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的 5 V 供電。但實際上，EFM8 有一個集成的線性穩(wěn)壓器，可接受 5 V 輸入并生成 3.3 V 電壓供自身使用和外部電路使用。J2 是一個三針接頭，允許用戶通過 DC/DC 轉(zhuǎn)換器或 USB 連接提供的 5 V 電壓為 EFM8 供電。

2023-08-03

控制電機控制器微控制器

板載電源：定制還是標(biāo)準(zhǔn)？

在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中設(shè)計電路板的電源部分時，很容易從目錄中選擇標(biāo)準(zhǔn)模塊。如今，許多供應(yīng)商提供各種優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品，無論是隔離磚還是非隔離負(fù)載點模塊 (POL)。

2023-08-03

板載電源嵌入式系統(tǒng) 電路板

使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)

在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時需要精確的驅(qū)動電壓（具體取決于所使用的器件）。

2023-08-03

SiC MOSFET Si IGBT 柵極驅(qū)動電源系統(tǒng)

1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對持續(xù)挑戰(zhàn)？

SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源（主要是電力），能效比以往任何時候都更重要。提高開關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開關(guān)損耗。然而，為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，直流母線電壓不斷上升，半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對...

2023-08-03

高性能碳化硅器件安森美

穩(wěn)壓二極管的動態(tài)電阻

穩(wěn)壓二極管是利用其反向擊穿時電流會急劇升高的特性進行穩(wěn)壓，表現(xiàn)出此時的動態(tài)電阻 Rz，也就是增加的電壓除以增加的電流，所得到的比值比較小，這樣就會使得外部電壓的波動對穩(wěn)壓二極管兩端電壓影響較小。

2023-08-03

穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻

晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算

功率晶閘管廣泛應(yīng)用于AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應(yīng)用中的損耗計算和結(jié)溫預(yù)估進行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應(yīng)用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。

2023-08-03

晶閘管 UPS 損耗

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