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芝識(shí)課堂【CMOS邏輯IC的使用注意事項(xiàng)】—深入電子設(shè)計(jì)，需要這份指南（一）
當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，CMOS邏輯IC因其低功耗、高集成度和良好的噪聲抑制能力而得到廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮CMOS邏輯IC的性能優(yōu)勢(shì)，確保系統(tǒng)的穩(wěn)定可靠運(yùn)行，必須嚴(yán)格遵守一系列使用注意事項(xiàng)。從本期芝識(shí)課堂起，芝子將向大家奉上一份詳細(xì)的設(shè)計(jì)指南，幫助大家更好地避免潛在的設(shè)計(jì)陷阱和故障。
2024-12-13
CMOS 邏輯IC 電子設(shè)計(jì)
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無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計(jì)難題
人們對(duì)更小、更高效電源的需求不斷增長，進(jìn)而推動(dòng)著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級(jí)快速普及。在交流/直流適配器市場(chǎng)中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強(qiáng)大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場(chǎng)規(guī)模。
2024-12-13
無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器 交流/直流適配器
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800V直流快充：高端EV俱樂部的“入場(chǎng)券”，如何能拿到？
在電動(dòng)汽車中，快速充電技術(shù)需要將車輛電池的充電時(shí)間從幾個(gè)小時(shí)縮短到十幾分鐘甚至更短的時(shí)間。直流快速充電是電動(dòng)汽車目前很高效的快充技術(shù)，此時(shí)充電站通過直接向電池提供直流電，消除了從交流電到直流電的轉(zhuǎn)換過程，使充電過程更快。
2024-12-13
直流快充 電動(dòng)汽車 智能手機(jī)
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DigiKey和MediaTek強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，開啟物聯(lián)網(wǎng)邊緣AI和連接功能新篇章
DigiKey 今天宣布通過與全球五大無晶圓廠半導(dǎo)體公司之一的 MediaTek 建立全球分銷合作伙伴關(guān)系，進(jìn)一步豐富了其產(chǎn)品組合。MediaTek 專注于開發(fā)緊密集成、低功耗系統(tǒng)單芯片（SoC），產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、移動(dòng)設(shè)備、家庭娛樂、網(wǎng)絡(luò)連接、自動(dòng)駕駛和物聯(lián)網(wǎng)等多個(gè)領(lǐng)域。通過此次全球分銷合作，Dig...
2024-12-13
DigiKey MediaTek 物聯(lián)網(wǎng) 邊緣AI 連接功能
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如何選擇有效的ESD保護(hù)二極管
ESD 保護(hù)器件的目的是將數(shù)千伏的 ESD 輸入降低至受保護(hù) IC 的安全電壓，并將電流從 IC 分流出去。盡管所需 ESD 波形的輸入電壓和電流在過去幾年中沒有變化，但保護(hù) IC 所需的安全電壓水平卻有所下降。過去，IC 設(shè)計(jì)對(duì) ESD 更加穩(wěn)健，并且可以處理更高的電壓，因此選擇能夠滿足 IEC61000-4-2 4 級(jí)要...
2024-12-12
ESD 保護(hù)二極管
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開發(fā)概要。
2024-12-12
三菱電機(jī) 工業(yè) SiC 芯片技術(shù)
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用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。
2024-12-12
矩陣開關(guān) 熱載流子
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