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關斷柵極電壓欠沖對SiC MOSFET導通行為的影響
本文探討了關斷時發(fā)生的柵極電壓欠沖對導通開關特性的影響。這種影響來自于閾值電壓的遲滯效應，指柵偏壓變化時，閾值電壓的完全可恢復瞬態(tài)偏移。閾值電壓的遲滯效應是由半導體-絕緣體界面缺陷中，電荷的短期俘獲和釋放引起的。因此，關斷時的柵極電壓欠沖會對碳化硅（SiC）MOSFET的開關特性產(chǎn)生影響。
2022-09-20
柵極電壓欠沖 SiC MOSFET 導通
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打破電動汽車“里程焦慮”，主驅能效如何升級？
因續(xù)航能力有限而導致的“里程焦慮”是許多消費者采用電動車的一個障礙。增加電池密度和提高能量轉換過程的效率是延長車輛續(xù)航能力以緩解這種焦慮的關鍵。能效至關重要的一個關鍵領域是主驅逆變器，它將直流電池電壓轉換為所需的交流驅動，以為電機供電。
2022-09-19
電動汽車 主驅能效
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TO-247封裝碳化硅MOSFET中引入輔助源極管腳的必要性
功率開關器件（如MOSFET, IGBT）廣泛應用于新能源汽車、工業(yè)、醫(yī)療、交通、消費等行業(yè)的電力電子設備中，直接影響著這些電力電子設備的成本和效率。因此，實現(xiàn)更低的開關損耗和更低的導通損耗一直是功率半導體行業(yè)的不懈追求。
2022-09-15
TO-247封裝 MOSFET 源極管腳
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了解為高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的挑戰(zhàn)
了解為當今高分辨率、高幀率CMOS圖像傳感器設計供電方案的關鍵挑戰(zhàn)，是設計一個滿足每位設計工程師要求的含LDO (DC-DC, PMIC)的優(yōu)化的電源系統(tǒng)方案的關鍵要素。電源系統(tǒng)設計人員需要知道不同應用中的電源方案有何不同，比方說，一個800萬像素（MP）的相機與一個5000萬像素的相機的電源方案有何不同...
2022-09-15
CMOS 圖像傳感器 供電方案
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安森美獲蔚來“守望獎”
中國上?！?022年9月13日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，在蔚來于2022年7月30日舉行的合作伙伴大會上獲其授予“守望獎”。作為蔚來體系中值得信賴的關鍵技術供應商，安森美通過多種渠道確保對蔚來的供貨支持，包括專職負責順利生產(chǎn)和交付流程的小組。
2022-09-14
安森美 蔚來 SiC模塊
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ABB采用IGBT7的新一代高功率密度變頻器ACS180系列
變頻器是各行業(yè)中至關重要的節(jié)能設備，ABB傳動一直致力于用先進的產(chǎn)品和技術，創(chuàng)新的解決方案為客戶創(chuàng)造價值，提高生產(chǎn)效能水平，助力變頻器產(chǎn)業(yè)升級。
2022-09-14
ABB IGBT7 變頻器
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電源應用問題之應用環(huán)境分析
本文簡述開關電源常見的應用環(huán)境，分析各種典型環(huán)境因素對電源產(chǎn)品的主要影響機理，推薦與應用環(huán)境相匹配的金升陽電源產(chǎn)品，提升電源在不同應用環(huán)境中的可靠性。
2022-09-14
開關電源 應用環(huán)境 金升陽
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開啟大功率無線充電新時代
無線充電技術包括感應、磁諧振、電容、射頻輻射、激光、聲波和其他新興技術。感應耦合技術處于領先地位 [1]，因此，其相關標準 Qi 在無線充電領域應用最為廣泛。
2022-09-14
無線充電 WLC1115 發(fā)射器
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碳化硅MOS 四引腳封裝在應用中的優(yōu)勢
瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅動、儲能、充電樁等領域。
2022-09-14
碳化硅 MOS TO-247封裝
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